高集成度WCDMA/HSDPA PA满足3G手机关键需求

　　日益复杂的3G多模式手机需要更多部件，包括双工器、滤波器和前沿电源管理，因此3G手机设计的挑战在于如何降低设计复杂度、减少元件数量以及优化射频设计。RF Micro Devices(RFMD)公司高度集成WCDMA/HSDPA功率放大器(PA)满足支持下一代多频段、多模式3G手机和智能电话所要求的这些关键需求。

　　RFMD的WCDMA/HSDPA功率放大器RF3267是1频段(1920至1980MHz)、具有数控低功率模式的WCDMA/HSDPA功率放大器，允许高达19dBm工作，降低了电流消耗。RF3267具有集成的耦合器，从而手机设计人员无需象以往一样在功率放大器的输出端放置外置耦合器。在不增加行业的3×3×0.9mm封装尺寸的情况下，即可实现额外功能的整合，这是跟随上一代功率放大器(RF3266)的成功而首次推出。通过保持与获得巨大成功的上一代功率放大器引脚对引脚兼容，RFMD的RF3267有助于手机原始设备制造商(OEM)寻求压缩手机射频部分，以支持更小、更薄的设备。

　　RF3267的主要特性包括：

　　+28dBm线性输出功率，ULRMC12.2(26.5dBm, HSDPA)；

　　在28dBm输出情况下具有+28dB线性增益；

　　数字控制HPM/LPM；

　　支持HSDPA；

　　低静态电流( (LPM<20mA)；

　　具有21% 线性效率@19dBm (LPM)；

　　集成耦合器

　　凭借的产品系列、制造规模、系统级技能以及封装与组装能力，RFMD在3G前沿领域堪称业界者，并在3G手机设计活动方面表现出色，所有这些优势可使RFMD降低复杂性，减少元件数，以及优化多频段、多模式WCDMA/HSPA手机与智能电话的射频设计。

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