40奈米芯片技术竞赛超微稍胜英伟达一筹

　　据台湾媒体报道，因市场需求不佳，绘图芯片双雄英伟达（NVIDIA）及超微本季出货量远低于预期，但两家大厂在40奈米的技术竞赛上仍然打的激烈。而据绘图卡厂表示，超微40奈米新款芯片RV740已完成设计定案（tape-out），明年季末就会在台积电投片量产，至于NVIDIA的40奈米芯片GT212，预计明年初陆续完成设计定案、第二季开始在台积电量产。

　　绘图芯片价格竞争激烈，通路商预期圣诞节旺季绘图卡降价幅度少说也有20%，部份旧款产品降价幅度更达30%。为了让成本降幅追上价格降幅，NVIDIA及超微早在9月初，就集中资源进行新款芯片40奈米微缩，如今超微先驰得点，RV740已在台积电完成40奈米设计定案，并为次世代主流产品RV870打下40奈米基础。

　　NVIDIA虽然进度落后，不过根据绘图卡厂透露，明年初40奈米芯片GT212也会在台积电完成设计定案，与超微间的制程差距也将缩短至2个月内，而NVIDIA接下来包括GT216、GT300等次世代芯片，也会在明年中后陆续导入40奈米制程。

　　绘图卡厂商表示，NVIDIA及超微之所以能够在短时间内转进40奈米，台积电推出的开放创新平台（OIP）整合优势功不可没，替两大客户省去了不少芯片设计前置时间及成本。当然，NVIDIA及超微将在明年3月或4月，开始在台积电大量投片生产40奈米芯片，也让台积电对明年第二季止跌回升充满信心。

　　台积电日前宣布将28奈米制程定位为全世代（full node）制程，开始提供高介电层金属闸极（high-k / metal gate，HKMG）技术，28奈米已成为台积电40奈米客户群未来会採用的更先进制程。所以，NVIDIA及超微在微缩40奈米的同时，也已开始与台积电就28奈米微缩进行初步讨论，希望2010年底前，能够抢先採用的HKMG制程，开发出28奈米新款芯片。

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