据台湾媒体报道,因市场需求不佳,绘图芯片双雄英伟达(NVIDIA)及超微本季出货量远低于预期,但两家大厂在40奈米的技术竞赛上仍然打的激烈。而据绘图卡厂表示,超微40奈米新款芯片RV740已完成设计定案(tape-out),明年季末就会在台积电投片量产,至于NVIDIA的40奈米芯片GT212,预计明年初陆续完成设计定案、第二季开始在台积电量产。
绘图芯片价格竞争激烈,通路商预期圣诞节旺季绘图卡降价幅度少说也有20%,部份旧款产品降价幅度更达30%。为了让成本降幅追上价格降幅,NVIDIA及超微早在9月初,就集中资源进行新款芯片40奈米微缩,如今超微先驰得点,RV740已在台积电完成40奈米设计定案,并为次世代主流产品RV870打下40奈米基础。
NVIDIA虽然进度落后,不过根据绘图卡厂透露,明年初40奈米芯片GT212也会在台积电完成设计定案,与超微间的制程差距也将缩短至2个月内,而NVIDIA接下来包括GT216、GT300等次世代芯片,也会在明年中后陆续导入40奈米制程。
绘图卡厂商表示,NVIDIA及超微之所以能够在短时间内转进40奈米,台积电推出的开放创新平台(OIP)整合优势功不可没,替两大客户省去了不少芯片设计前置时间及成本。当然,NVIDIA及超微将在明年3月或4月,开始在台积电大量投片生产40奈米芯片,也让台积电对明年第二季止跌回升充满信心。
台积电日前宣布将28奈米制程定位为全世代(full node)制程,开始提供高介电层金属闸极(high-k / metal gate,HKMG)技术,28奈米已成为台积电40奈米客户群未来会採用的更先进制程。所以,NVIDIA及超微在微缩40奈米的同时,也已开始与台积电就28奈米微缩进行初步讨论,希望2010年底前,能够抢先採用的HKMG制程,开发出28奈米新款芯片。
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