海力士半导体与东芝签署交叉许可协议

      路透社消息，海力士半导体（Hynix Semiconductor）和东芝公司星期二宣布签署了一项交叉许可协议，从而了结了二者之间因NAND闪存芯片引起的法律纷争。 
      海力士今后将向东芝供应用于数码相机和便携式媒体播放器的NAND记忆芯片，双方公司没有透露更多细节。分析人士认为，海力士还有可能向东芝提供DRAM芯片。
      继海力士和东芝没能顺利地将交叉许可协议展期，东芝于2004年11月将海力士告上了法庭，指其侵犯了权。去年12月，美国国际贸易委员会驳回了东芝有关停止海力士闪存芯片进口美国的请求。 
      两家公司没有透露新交叉许可协议的期限，只表示是“长期”。上签署交叉许可协议的时间是在1996年8月，到期时间为2002年底。