IRMOSFET效率高达95%

IR推出IRF6641TRPbF功率MOSFET，采用IR标准的DirectFET封装技术结合IR的200VHEXFET MOSFET硅技术，可实现 95% 的效率。

　　IR 新推出的 200V DirectFET 器件是应用于专为 36V 至 75V 通用输入范围内操作的隔离式 设计DC-DC转换器。其超低的 51 mΩ典型10V 导通电阻RDS(on) 及减低了的栅极电荷，使IRF6641TRPbF特别适合应用于高效同步整流MOSFET、推动大电流负载的高频及高效的 DC-DC 转换器、新一代中间总线转换器、DC 马达驱动器，以及为风力涡轮转换功率的 48V 变频器的同步整流。在 48V 通用输入电压范围内操作的计算机及电信服务器的大电流 AC-DC 转换器也可以采用新器件进行同步整流。

　　IR 的新器件在诸多应用上都能提供卓越的表现。IRF6641TRPbF 与其他采用次级同步整流插座的增强 SO-8 器件相比，当每个插座所使用的增强 SO-8 器件的数目相同时，新的 DirectFET 器件的效率可提高 0.4% 。此外，当每个插座使用两个增强SO-8器件时，IR 的新器件也能提供同样 7 安培的电流和满载效率。在同一项分析中，每个插座如果采用两颗IRF6641TRPbF 器件的电路，MOSFET 温度是的。
 
　　新器件有一个共用MZ 占位面积，可以方便地将应用转换至其他中电压DirectFET MOSFET，例如具有可接受的增加电流电平和更低电压的100V IRF6662器件。

       新的IRF6641TRPbF DirectFET MOSET现已供货。