栅极电荷Qg对MOSFET开关速度的影响
MOSFET的开关速度是电源设计、电机驱动、高频逆变等场景的核心性能指标，直接决定电路的开关损耗、工作频率...
日期：2026-03-02
干货 | 详谈米勒效应对MOSFET开关过程的危害
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Eff...
日期：2022-11-14
详细分析MOSFET开关过程米勒效应的影响
来自人体、环境甚至电子设备内部的静电对于精密的半导体芯片会造成各种损伤,例如：穿透元器件内部薄的绝缘...
日期：2022-03-11
MOSFET开关损耗分析
摘要：为了有效解决金属一氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启...
日期：2018-08-14
Maxim推出内置MOSFET开关的8串WLED驱动器MAX17061
Maxim推出内置MOSFET开关的8串白光LED(WLED)驱动器MAX17061。器件采用内部的开关型电流模式升压控制器驱动L...
日期：2008-06-12
MOSFET开关轨迹线的示波器重现方法
MOSFET的开关轨迹线是判断MOSFET开关过程“软硬”程度的重要评估指标，MOSFET的软硬程度对于开关电源的性能...
日期：2007-04-03
