什么是IGBT？IGBT的原理
IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，即绝缘栅双极型晶体管。它是一种功率半导体器件，结合了M...
日期：2024-01-23
适用于最高电压?Class Si IGBT 和 SiC MOSFET 的封装
电力电子及其效率的重要性也随之增加。为了最大限度地减少电力电子设备中的能量损失，...
日期：2023-12-25
IGBT 应用笔记
利用IGBT高速、低饱和电压特性的应用领域正在迅速扩大。它包括工业应用，例如太阳能系...
日期：2023-10-13
IGBT / MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动...
日期：2023-10-10
MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频率进行开关...
日期：2023-10-08
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想要了解电路...
日期：2023-09-05
具有反向阻断功能的新型 IGBT
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流源逆变器、...
日期：2023-08-31
使用数值方法评估 IGBT 损耗
本应用笔记介绍了在开关模式电源电路中运行的 IGBT 的数值算法，以确定其损耗。该设计示例使用经过测试和分...
日期：2023-08-24
IGBT的选型及注意事项
第一部分 选型及注意事项 1、电压规格??器件上所承受的最高电压要小于器件的额定电压2、电流规格??一般使用...
日期：2023-05-31
一文带你了解IGBT开关过程
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断...
日期：2023-05-19
IGBT的功能特点及原理介绍
所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管），是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控...
日期：2023-05-15
IGBT模块是如何失效的？
1、IGBT模块结构IGBT模块主要由若干混联的IGBT芯片构成，个芯片之间通过铝导线实现电气连接。标准的IGBT封...
日期：2023-05-08
为什么IGBT是最适合斩波应用的器件
斩波是电力电子控制中的一项变流技术，其实质是直流控制的脉宽调制，因其波形如同斩切般整齐、对称，故名斩...
日期：2023-04-26
检测IGBT模块的的办法
IGBT等效电路如所示。由可知，若在IGBT的栅极G和发射极E之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管...
日期：2023-04-13
Toshiba - 东芝最新款分立IGBT将大幅提高空调和工业设备的效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（...
日期：2023-03-25
详解：MOS管和IGBT的区别
在电子电路中，MOS管和IGBT管会经常出现，它们都可以作为开关元件来使用，MOS管和IGBT管在外形及特性参数也...
日期：2023-02-24
IGBT的窄脉冲
1.什么是窄脉冲现象 IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关...
日期：2023-02-21
IGBT模块上的续流二极管（续流二极管作用）
IGBT 模块上有一个“续流二极管”。它有什么作用呢？ 当 PWM 波输出的时候，它是维持电机内的电流不断用...
日期：2022-12-23
IGBT温度保护电机控制器热管理电动汽车
随着新能源汽车的发展，高性能的电动汽车在市场上有较好的需求，特斯拉的Model3电机功率达到220kW，蔚来的E...
日期：2022-12-02
IDC 谏早电子开发IGBT适配器单元VLB520-01R, 可使用在薄型Duel配置IGBT模块, 改善并联使用效能。
谏早电子有限公司宣布, 將為薄型Duel配置IGBT模块生產适配器单元VLB520-01R。 产品内置栅极/发射极总布线长...
日期：2022-11-28
各种IGBT驱动电路和IGBT保护的基本要求
保证IGBT的可靠工作，起着至关重要的作用，本文讨论IGBT驱动电路和IGBT的保护，包括驱动电路EXB841/840、M5...
日期：2022-11-15
使用IGBT及二极管的θ值计算平均结温
大多数半导体组件结温的计算过程很多人都知道。通常情况下，外壳或接脚温度已知。量测...
日期：2022-11-02
IGBT的工作原理及基本特性
绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C...
日期：2022-10-29
PI 汽车级驱动板SCALETM EV优化并保障SiC和IGBT开关电路
前不久深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（PI）...
日期：2022-08-25
Infineon - 英飞凌推出基于1700 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3模块，大幅提升逆变器的功率密度
英飞凌科技股份公司（FSE代码: IFX / OTCQX代码: IFNNY）近日发布了采用EconoDUAL 3标准工业封装的全新1700...
日期：2022-06-16
Infineon - 英飞凌推出超可靠的压接式IGBT ，进一步壮大Prime Switch系列的产品阵容
Infineon Technologies Bipolar GmbH & Co. KG推出具有内部续流二极管（FWD）、采用陶瓷平板封装的全新...
日期：2022-06-16
保护IGBT和MOSFET免受ESD损坏
摘要 功率MOSFET用户都非常熟悉“静电敏感器件”警告标志。然而，越熟悉越容易大意...
日期：2022-06-10
ST-意法半导体双通道栅极驱动器优化并简化SiC和IGBT开关电路
IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。 IGBT驱动器ST...
日期：2022-06-08
采用光耦驱动芯片实现IGBT驱动电路的应用方案
光耦驱动芯片HCPL-316J是Agilent公司［编者注：2014年8月更名为keysight（是德）公司...
日期：2022-05-26
利用隔离DC／DC转换器延长IGBT驱动电路的使用时长
由于IGBT小电流转换大功率的能力，在电源中已是不可或缺的一部分。在不同类型的电路应...
日期：2022-05-25
