高压150V120V/6A宽输入电压DC-DC降压IC方案优选自举供电36V48V60V72V

H8000一款宽电压范围降压型 DC - DC 电源管理芯片，内部集成功率 MOS 管、使能开关控制、基准电源、误差放...

日期：2025-08-13

将50V的直流电压降到40V，有什么办法？

想要将50V的直流电压降到40V，有什么办法？ 这属于电源设计部分内容，DCDC直流降压型电压变换，输入电压...

日期：2023-05-24

LED灯为什么会变暗？250V电容只有70多V电压？

家用LED灯的品牌多，原理很多，由于为止该故障LED灯的原理图，也没有内部结构照片，无法定性分析，下面对常...

日期：2023-04-18

Pan Jit - 强茂推出全新600V和650V Super Junction MOSFET 系列产品

应用于Power Supply Unit (PSU)系统且拥有高效率和高质量的性能 强茂新推出第一代Super Junction MOSFET...

日期：2022-09-20

ROHM确立栅极耐压高达8V的150V GaN HEMT的量产体制

~EcoGaNdi一波产品“GNE10xxTB系列”将有助于基站和数据中心等应用实现更低功耗和小型化~　　quan球知名半...

日期：2022-04-29

英飞凌新一代650V碳化硅MOSFET的性能和应用分析

2020年2月，碳化硅的领导厂商之一英飞凌祭出了650V CoolSiCMOSFET，带来了坚固可靠性...

日期：2020-05-20

东芝推出面向电压谐振电路1350V分立IGBT，有助于降低设备功耗

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出“GT20N135SRA”，这是一款用于桌面电磁炉、电...

日期：2019-12-24

Littelfuse新推250V电信PPTC产品系列，双通道PPTC封装尺寸缩小50％

通过将两个电信PPTC纳入更小的表面贴装封装尺寸中节省电路板空间。 中国，北京，2019年10月28日讯 - -全球...

日期：2019-10-29

Littelfuse GEN2 650V碳化硅肖特基二极管可提高应用的效率、可靠性与热管理

Littelfuse, Inc.今日宣布推出两个第二代650V、符合AEC-Q101标准的碳化硅（SiC）肖特基二极管系列。 LSIC2S...

日期：2019-03-07

Infineon - 650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现功率密度

2018年6月1日，德国慕尼黑讯——英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）进一步壮大其薄晶...

日期：2018-06-14

ROHM开发出业界高效率与软开关兼备的650V耐压IGBT “RGTV/RGW系列”

知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界低传导损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2“RGTV系列（短路耐受...

日期：2018-04-17

ST发布650V超结MOSFET

意法半导体（STMicroelectronics,简称ST的超结 （super-junction） 功率MOSFET满足家...

日期：2014-12-03

IR推出多款可靠的650V IRGP47xx器件 扩充IGBT系列

功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出...

日期：2014-10-22

GB 24906-2010普通照明用50V以上自镇流LED灯安全要求

本标准的全部技术内容为强制性。　　本标准参考了LEC62560《普通照明用50V以上自镇流L...

日期：2014-04-21

可承受10μs短路时间的大电流模块的650V IGBT4

1 引言　　2003年，英飞凌公司提出了使用沟槽和场截止技术的600V IGBT3器件[1]，该产...

日期：2011-09-01

一种适于软硬开关应用的具有坚固体二极管的新型650V超结器件

2011年1月19日，英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS 高压MOSFET顺利下...

日期：2011-07-23

Cree推出650V碳化硅肖特基二极管C3DXX065A系列

Cree公司日前宣布推出最新Z-Rec650V结型肖特基势垒(JBS)二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型...

日期：2010-12-30

英飞凌推出全新650V CoolMOS C6/E6高压功率MOSFET

英飞凌科技股份公司近日推出全新的650VCoolMOSC6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结（SJ）器...

日期：2010-07-05

集成全新650V IGBT和发射极控制二极管芯片技术的三电平IGBT功率模块

为了充分发掘系统层面的设计优势，以往主要集中在大功率应用的三电平中点钳位(NPC)拓...

日期：2010-06-01

Infineon推出性能的200V和250V OptiMOS系列器件

英飞凌 推出200V和250V OptiMOS系列器件，进一步扩大OptiMOS产品阵容。全新200V和250V...

日期：2010-01-28

意法推出通态电阻仅650V的全新功率MOSFET

意法半导体推出一款全新功率 MOSFET产品，为设计工程师带来更多选择。新产品 STW77N65M5采用意法半导体的超...

日期：2009-12-16

飞思卡尔首推L-Band雷达用50V LDMOS功率晶体管

飞思卡尔半导体业已推出了全球首款用于L-Band（L波段）雷达应用的50VLDMOS功率晶体管产品线，从而继续推动...

日期：2008-08-22

飞思卡尔为L波段雷达推出50V LDMOS功率晶体管

飞思卡尔半导体推出适用于L波段雷达应用的50VLDMOSRF功率晶体管产品的神秘面纱。这一产品线非常适合于各种...

日期：2008-06-10

飞思卡尔50V LDMOS RF功率晶体管输出功率相较高出50％

飞思卡尔半导体近日推出50伏横向扩散MOS（LDMOS）RF功率晶体管，输出功率比与之竞争性UHFTV广播解决方案高5...

日期：2008-06-03

奥地利微电子新推升压转换器AS1340，输出电压达50V

奥地利微电子公司(Austriamicrosystems)发布输出电压高达50V的升压转换器AS1340，主要适用于LCD或OLED显示...

日期：2008-06-02

Supertex发布工作电压8-450V的电流传感IC

Supertex公司发布了型号为HV7800的新款高压电流传感IC。这种IC的工作电压为8-450Vdc，因而可通过12、24和48...

日期：2007-12-20

IR推出高效率150V DirectFET MOSFET

功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)...

日期：2007-11-30

AVX推出50V和100V 1.0uF SR21 X7R电容

AVX有限公司已经开发出新的轴向和径向形状的引线式多层陶瓷电容（MLC），具有很高的性能，如SR21轴向型电容...

日期：2007-09-27