飞思卡尔首推L-Band雷达用50V LDMOS功率晶体管

　　飞思卡尔半导体业已推出了首款用于L-Band（L波段）雷达应用的50V LDMOS功率晶体管产品线，从而继续推动了大功率射频（RF）技术的发展。该产品线是各种大功率RF应用的理想选择，包括：空中交通管理和长距离气象雷达。

　　这款RF产品线包括MRF6V14300H级器件和MRF6V10010N驱动器。MRF6V14300H可在1200到1400MHz频带内产生330W的脉动RF功率输出，与竞争的双极和场效应晶体管（FET）相比，飞思卡尔的新产品在这种功率水平和频率范围为效率、增益和热阻抗等指标订立了新标准。

　　“随着我们新RF功率晶体管的推出，我们的50V LDMOS展现出用于L-Band频段（1.2到1.4GHz）、包括雷达在内等各种应用的能力，”飞思卡尔RF事业部副总裁兼总经理Gavin Woods表示。“我们不仅借力了飞思卡尔LDMOS技术的卓异性能，我们还为几个关键指标制定了新RF性能标准。”

　　这族先进的RF功率晶体管产品线——飞思卡尔款用于航空和雷达的50V RF功率LDMOS——具有竞争优势，其标准的工作电压、低散热成本及托盘（pallet）设计的高可靠性等特性为飞思卡尔的客户在L-Band实现脉动RF功率提供了方便。飞思卡尔还计划在今年下半年为航空和雷达应用推出更多同类产品，这些产品将在增益、效率和热阻抗等指标方面优于目前市场上的同类产品。

　　飞思卡尔MRF6V14300H器件的热阻抗小于0.12℃/W JC，它采用的是符合RoHS要求的气穴陶瓷封装，其工程处理可有效管控散热且减小了散热器面积。该优异的热性能提供了更低的结温度。MRF6V10010N采用的是过模（over-molded）塑封，也具有优异的热阻抗性能。当一起使用时，可获得低散热成本及托盘设计的高可靠性。

　　MRF6V14300H的关键性能指标有：1.2到1.4GHz的频率范围、330W峰值输出功率（1.4GHz、300μs脉宽、12%的占空比）、17dB增益、60%的漏极效率。特别一提的是，精雕细凿的60%的漏极效率起码比竞争产品高10%。MRF6V10010N具有8W峰值输出功率（1.4GHz、300μs脉宽、12%的占空比）、22dB增益、60%的漏极效率。

　　与飞思卡尔50V LDMOS系列内的其它产品一样，这些先进器件整合了抗静电（ESD）保护功能以有助于降低这些器件在组装过程中对静电的敏感性。该ESD保护支持了-6V和+10V很宽的栅极电压摆浮，当这些器件工作在诸如C类等高效配置时，该宽摆浮指标具有优势。

　　这族RF器件基于飞思卡尔的第六代极高压（VHV6）50V LDMOS技术。飞思卡尔次将该技术用于商用，该50V VHV6 LDMOS平台展示出业内的增益和效率。辅以创新的器件封装和热管理技术，VHV6技术通过增加每晶体管额定的输出功率帮助系统减少了所用器件数、降低了成本。

　　凭借超过40年的功率RF经验，作为业内RF功率器件供应商（Allied Business Intelligence）的飞思卡尔目前已为大功率应用提供了超过40亿瓦的容量。飞思卡尔提供创新、高可靠并具成本效益RF方案的悠久历史支持设计师加快其设计以在变化的市场取得成功，并有助于长期大批量供货厂商免受无米下锅之苦。

售价和交货

　　MRF6V10010N有样片且已量产。MRF6V14300H也有样片，量产预计在2008年第三季度。MRF6V14300H还有一款宽带参考测试工具。两款器件的大信号版本预计在2008年底问世。