Everspin科技推出MR4A16B业界首款16Mb MRAM

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁（IntegratedMagnetic）产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16MbMRAM，进...

日期：2010-05-19

意法半导体率先推出SO8N封装的8Mbit和16Mbit串行代码存储闪存

世界的串行闪存供应商意法半导体日前推出高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存，新产品采用市...

日期：2007-12-14

ST推出SO8N封装8Mbit及16Mbit串行代码存储闪存

意法半导体推出高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存，新产品采用市场上同类产品中最小的封装：SO8N。ST是市场上第...

日期：2007-12-11

华邦电子推出闪存新产品-16Mb/32Mb串口式及16Mb/32Mb/64Mb并口式

16Mb,32Mb和64Mb并口式闪存其数据读取速度皆可达70ns，16Mb和32Mb主要产品特性为BootBlock及SingleBank，而...

日期：2007-11-23

ST16Mb M25PE16串行闪存具备50MHz总线频率

意法半导体(ST)近日宣布M25PE系列页式可擦除串行闪存产品新增一个段粒度4-Kbyte的16-M...

日期：2007-11-21

ST率先推出SO8N封装的8Mbit和16Mbit串行代码存储闪存

世界最大的串行闪存供应商意法半导体（纽约证券交易所：STM）推出高速8-Mbit和16-Mbit串行闪存，新产品采用...

日期：2007-09-30