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外置PMOS 驱动工业级DC/DC转换器

出处：网络整理时间：2026-08-24

　　是禾芯荣半导体自主研发的一款宽输入电压、高效率同步降压DC/DC转换器支持CV (恒压)和CC (恒流)两种工作模式。该器件内部集成了高侧PMOSFET(25mΩ@VIN=12V/40mΩ@VIN=5V)和低侧NMOSFET(25mΩ) ,并支持外部PMOS驱动以进一步降低导通压降。
　　芯片关键参数
　　参数规格备注
　　输入电压范围4.5V～30V值
　　输出电流能力典型3.5A @5V输出开关电流限制典型
　　开关频率120KHz固定频率
　　峰值效率94%(@12VN→5V/3A)同步整流架构
　　反馈电压精度±
　　占空比100%支持dropout模式
　　轻载模式PFM(自动切换)提升轻载效率
　　封装SOIC-8RθJA=60°差异化优势
　　外部PMOS驱动(独有功能)支持在Vn与SW之间并联外部PMOS,进一步降低导通压降，提升重载效率。PD引脚提供专用驱动，是同类产品中独有的扩展架构。
　　占空比适用于输入电压接近输出电压的极端场景，无需dropout电压裕量，在低压差工况下仍可维持输出稳定。
　　短路保护输出短路时进入间歇工作模式(周期约475ms),大幅降低系统热应力，故障消除后自动恢复，适合无人值守工业场景。
　　轻载模式轻载时自动切换至PFM模式，降低开关损耗，提升轻载效率，适应工业设备待机功耗要求。
　　原理图设计(24 V→5V/3A)输出电压设定、关键元件选型与电路架构逻辑2.1输出电压设定
　　反馈基准电压VREF典型值为1.22V(精度±2%) 。
　　推荐配置(1%精度电阻):RFB2=39kΩ,RFB1≈120kΩ (计算值得121kΩ, 取标准值120kΩ)。
　　×(1+120/39)=1.22V×4.077≈4.97V(偏差-0.6%,满足±
　　设计提示
　　在RFB1上并联一个小电容(10pF~100pF)可改善系统稳定性和瞬态响应。数据手册还指出，通用DC/DC应用建议RFB1取值10kΩ~30ko以减小线损补偿影响四。
　　关键外围元件选型
　　元件推荐规格设计依据
　　输入电容CIN22μF~47μF/35V(X7R)靠近IN引脚；陶瓷电容需考虑DC偏置下的容量衰减
　　输出电容COUT22μF-100μF/10V(低ESR)建议2颗22μF陶瓷并联
　　功率电感L133μH~47μH/Isat≥4.5ADCR建议<50mQ,屏蔽型
　　分压100kΩ+27kΩEN耐压6V,分压约5.1V(安全范围
　　稳定性补偿10pF~100pF并联于RFB1两端
　　电感计算(取△IL≈　×(VIN-VOUT)/(VIN×△IL×fSW)=5×(24-5)/(24×0.8×120k)≈41μ
　　原理图架构逻辑
　　功率回路VIN→CIN→IC(IN/SW)→L1→CouT→
　　反馈回路VouT→RFB1→FB引脚→RFB2→信号地(单点接地
　　可选增强若需突破3.5A限流，可在Vn与sw间并联P-MOS (如HCR3401P),由PD引脚驱动

　　典型应用电路(24V→5V/3A,无外部

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