在电子电路设计中，MOS 管是一种常用的电子元件。通常认为 MOSFET 是电压驱动型器件，不需要驱动电流。然而，由于 MOS 管的 G 极（栅极）和 S 极（源极）之间存在结电容，这使得驱动 MOS 管变得复杂起来。 在不考虑纹波和电磁干扰（EMI）等因素的情况下，MOS 管的开关速度越快越好。因为开关时间越短，开关损耗就越小。在开关电源中，开关损耗在总损耗中占比较大，所以 MOS 管驱动电路的优劣直接影响电源效率。对于一个 MOS 管而言，如果能在更短时间内将 GS 之间的电压从 0 提升到管子的开启电压，MOS 管的开启速度就会更快；若能快速将 GS 电压从开启电压降至 0V，MOS 管的关断速度也会加快。 由此可知，要想在短时间内拉高或拉低 GS 电压，就需要为 MOS 管栅极提供更大的瞬间驱动电流。大家常用的 PWM 芯片直接驱动 MOS 管，或者用三极管放大后再驱动 MOS 管的方法，在瞬间驱动电流方面存在较大缺陷。 比较理想的方法是采用专用的 MOSFET 驱动芯片，如 TC4420 来驱动 MOS 管。这类芯片通常具有较大的瞬间输出电流，并且兼容 TTL 电平输入。以下是 MOSFET 驱动芯片的内部结构： MOS 驱动电路设计的注意事项 在 MOS 驱动电路设计中，由于驱动线路走线存在寄生电感，寄生电感与 MOS 管的结电容会构成一个 LC 振荡电路。若直接将驱动芯片的输出端连接到 MOS 管栅极，在 PWM 波的上升沿和下降沿会产生较大的震荡，可能导致 MOS 管急剧发热甚至爆炸。一般的解决办法是在栅极串联一个 10 欧左右的电阻，降低 LC 振荡电路的 Q 值，使震荡迅速衰减。 由于 MOS 管栅极具有高输入阻抗的特性，少量的静电或干扰都可能导致 MOS 管误导通。因此，建议在 MOS 管的 G 极和 S 极之间并联一个 10K 的电阻，以降低输入阻抗。 如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿 MOS 管，可以在 GS 之间再并联一个 18V 左右的 TVS 瞬态抑制二极管。TVS 可以看作是反应速度极快的稳压管，其瞬间可承受的功率高达几百至上千瓦，能够吸收瞬间的干扰脉冲。 MOS 管驱动电路的布线设计 MOS 管驱动线路的环路面积应尽可能小，否则可能会引入外来的电磁干扰。驱动芯片的旁路电容要尽量靠近驱动芯片的 VCC 和 GND 引脚，否则走线的电感会在很大程度上影响芯片的瞬间输出电流。 常见的 MOS 管驱动波形分析 以下是常见的 MOS 管驱动波形： 圆不溜秋的波形：如果出现这种波形，情况就比较糟糕了。有很大一部分时间管子工作在线性区，损耗极大。一般这种情况是由于布线过长，电感太大，即使栅极电阻也无法解决问题，只能重新设计电路板。 高频振铃严重的毁容方波：在上升沿和下降沿震荡严重，这种情况下管子通常会瞬间损坏，原因与上一种情况类似，主要是布线问题，导致管子进入线性区。 又胖又圆的肥猪波：上升沿和下降沿极其缓慢，这是由于阻抗不匹配造成的。可能是芯片驱动能力太差或者栅极电阻太大。解决办法是更换大电流的驱动芯片，并适当调小栅极电阻。 打肿脸充正弦的生于方波他们家的三角波：驱动电路阻抗过大，这是管子的 “必杀波”。解决方法与上一种情况相同。 大众脸型，人见人爱的方波：高低电平分明，边沿陡峭，开关速度快，损耗小，略有震荡，可以接受，管子不会进入线性区。如果有强迫症，可以适当调大栅极电阻。 方方正正的帅哥波：无振铃、无尖峰、无线性损耗，这是完美的波形。
MOS 驱动电路设计的注意事项
MOS 管驱动电路的布线设计
圆不溜秋的波形：如果出现这种波形，情况就比较糟糕了。有很大一部分时间管子工作在线性区，损耗极大。一般这种情况是由于布线过长，电感太大，即使栅极电阻也无法解决问题，只能重新设计电路板。
