在MOS电路的发展过程中，初采用的电路全部是用P 沟道 MOS 管组成的，这种电路称为 PMOS 电路。V　PMOS 反相器的电路结构如图 3.4.1 所示，其中T和′T都是 P 沟道增强型 MOS管。因为 PMOS 工艺比较简单，成品率高、价格便宜，所以曾经被广泛采用。
　　T但是，PMOS 反相器有两个严重的缺点。，它的工作速度比较低。因为 P 沟道 MOS管的导通电流是由空穴运动形成的，而空穴的迁移率比电子的迁移率低得多，所以为了获得同样的导通电阻和电流，P 沟道MOS管必须有更大的几何尺寸。这就使P沟道MOS管的寄生电容要比 N 沟道 MOS管的寄生电容大得多，从而降低了它的开关速度。　　第二，由于 PMOS 电路使用负电源，输出电平为负，所以不便于和TTL 电路连接，使它的应用受到了限制。基于上述原因，在 NMOS工艺成熟以后，PMOS 电路就用得越来越少了。