以MOS 管取代图3.1.1(a)中的开关S,便得到了图3.3.4 所示的 MOS管开关电路。　　当v1=v∞5<VCs(u)时，MOS管工作在截止区。只要负载电阻R远远小于MOS 管的截止内阻R,在输出端即为高电平VoH,且。VoM=VDD。这时 MOS 管的DS间就相当于一个断开的开关。

　　当v1>VCS(b)并且在v0S较高的情况下，MOS 管工作在恒流区，随着v 的升v高i增加，而v随之下降。由于i与v变化量之比不是正比关系，所以v为不同数值下Δv与Δv之比(即电压放大倍数)也不是常数。这时电路工作在放大状态。

　　v当v 继续升高以后，MOS管的导通内阻Rob变得很小(通常在1kΩ以内，有的甚至可以小于10Ω)，只要R1>>RoN,则开关电路的输出端将为低电平VoL,且。VoL=0。这时MOS管的DS间相当于一个闭合的开关。　　综上所述，只要电路参数选择得合理，就可以做到输入为低电平时 MOS管截止，开关电路输出高电平；而输入为高电平时 MOS 管导通，开关电路输出低电平。