N 沟道增强型 MOSFET 作为晶体管开关非常有用，因为在“OFF”状态（栅极偏置为零），其沟道具有非常高的电阻，可阻止电流流动。然而，在其高阻抗栅极上大于阈值电压V T的相对较小的正电压导致其开始从其漏极端子传导电流到其源极端子。
　　与需要基极电流才能“导通”的双极结型晶体管不同，e-MOSFET 仅需要栅极上的电压，因为其绝缘栅极结构，零电流流入栅极。然后，这使得 e-MOSFET（N 沟道或 P 沟道）非常适合由典型 TTL 或 CMOS 逻辑门直接驱动，如图所示。　　逻辑控制继电器开关电路

　　逻辑控制
　　此处，N 沟道 E-MOSFET 由数字逻辑门驱动。大多数逻辑门的输出引脚只能提供有限的电流，通常不超过约 20 mA。由于 e-MOSFET 是电压驱动器件，不消耗栅极电流，因此我们可以使用 MOSFET 继电器开关电路来控制高功率负载。　　微控制器继电器开关电路

　　除了数字逻辑门之外，我们还可以使用微控制器、PIC 和处理器的输出引脚和通道来控制外部世界。下面的电路显示了如何使用 MOSFET 开关连接继电器。
　　微控制器继电器开关电路
　　微控制器