反馈和控制电路可以仔细地嵌套在这些电路周围,以调节能量传输并在正常工作条件下保持恒定的输出。
控制技术
图3所示为采用MAX1932构成的升压拓扑的实际电路。该 IC 是一款集成控制器,带有板载可编程数模转换器 (DAC)。DAC 通过串行链路以数字方式设置输出电压。R5 和 R8 形成一个分压器,用于测量输出电压。当 DAC 电压与参考电压 (1.25V) 相同时,R6 实际上处于断路状态。这是因为 R6 上的电压为零,因此电流也为零。当 DAC 输出为零(接地)时,R6 实际上与 R8 并联。这两个条件分别对应和输出调节范围40V和90V。
接下来,从内部 1.25V 参考电压中减去分频器信号,然后进行放大。然后该误差信号作为电流源在引脚 8 上输出。这与差分输入对一起形成跨导放大器。使用这种布置是因为误差放大器的输出为高阻抗(电流源),允许通过改变 R7 和 C4 来调整电路的增益。
效率 开关器的功率损耗因素之一是整流二极管。功耗就是正向压降乘以通过它的电流。硅二极管的反向恢复也会产生损耗。这些功率损耗降低了整体效率,需要采用散热器或风扇的形式进行热管理。为了限度地减少这种损失,开关稳压器可以使用具有相对较低的正向压降和良好的反向恢复的肖特基二极管。然而,为了获得效率,您可以使用 MOSFET 开关代替二极管。这种设计被称为“同步整流器”。
当主开关闭合时,同步整流开关断开,反之亦然。为了防止交叉传导(顶部和底部开关同时打开),开关方案必须是先断后合。因此,在主开关打开和同步整流开关闭合之间的时间间隔(死区时间)仍然需要二极管导通。当 MOSFET 用作同步开关时,电流通常反向流动(源极到漏极),这允许集成体二极管在死区时间内传导电流。当同步整流器开关闭合时,电流流过 MOSFET 通道。由于功率 MOSFET 的沟道电阻非常低,整流二极管的标准正向压降可降至几毫伏。
结论免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。