在接收侧，信号由两个低噪声放大器（Q1 和 Q11）放大，每个频段一个。它们是使用BFP650 硅锗
晶体管制成的。LNA 的增益约为 14dB，噪声系数为 1dB。LNA 微带带通滤波器之后将滤除不需要的信号。这些滤波器的设计需要充分了解 PCB 材料特性（Er、厚度等）。即使这些参数发生很小的变化也会改变滤波器的中心频率，从而降低收发器的性能。所有滤波器都使用开关
二极管（DAN235 或任何其他等效类型）在 RX 和 TX 模式之间切换。
个混频器是 Mini Circuits RAY-11。这是收发器中昂贵的组件，但可以用覆盖这些频率的任何其他二极管混频器代替。
中频的频率为272MHz。选择该频率的原因是为了简化个本振的设计。272MHz IF 放大器使用 BFP650 和 MOSFET BF998， 由 AGC 控制。
1.3GHz 频段的个本振频率为 1024MHz，2.3GHz 频段的个本振频率为 2048MHz，是 1024MHz 的两倍。从相同的
晶体振荡器开始并使用级联乘法器可以为个混频器提供来自相同LO的信号，但拾取来自不同级的信号。
RAY-11 混频器和个 IF 带通滤波器使用二极管（D3、D4）在 RX 和 TX 模式之间切换。
Q2 和 Q3 是个 IF 放大器，第二个 RX 混频器是双栅极 MOS 晶体管 (Q4)。
第二个 IF 为 10.7MHz，并使用晶体滤波器（BW = 3kHz）完成主通道滤波。该滤波器使用二极管（D5 和 D6）在 RX 和 TX 之间切换。在 SSB-TX 模式下，该滤波器用于抑制 DSB 调制后剩余的不需要的边带和残留载波。
Q5和Q6是第二中频放大器，它们由AGC控制。
U1（SA612）具有三重功能。是 RX 模式下的产品检测器、TX 模式下的 DSB 调制器和拍频振荡器，使用外部 10.7MHz 晶体。调节C25可以将BFO的频率设置在晶体滤波器侧面的右侧位置。Q8还具有双重功能，RX模式下的音频
前置放大器和TX模式下的DSB缓冲器。
在 TX 模式下，10.7MHz SSB 信号由晶体滤波器过滤并由 U10 放大。随后使用混频器 U11 (SA612) 将信号转换为 272MHz。 用于和第二 IF 之间转换的第二 LO 是 PLL 或 DDS，覆盖频率从 261.3MHz 到 263.3MHz。此处未显示该 LO 的原理图。我自己使用了HF DDS (AD9850)上
变频至所需频率。
