该电路类似于我们在之前的教程中看到的公共发射极电路。这次的不同之处在于，要将晶体管用作开关，晶体管需要完全“关闭”（截止）或完全“打开”（饱和）。

    理想的晶体管开关在“完全关闭”时在集电极和发射极之间具有无限的电路电阻，导致流过它的电流为零，在“完全开启”时集电极和发射极之间的电阻为零，从而产生电流。
    实际上，当晶体管“关断”时，会有小漏电流流过晶体管，而当完全“开”时，器件具有低电阻值，导致其两端产生小饱和电压 (V CE  ) 。尽管晶体管不是完美的开关，但在截止区域和饱和区域，晶体管消耗的功率都处于值。
    为了使基极电流流动，必须将基极输入端子的电压提高到硅器件所需的 0.7 伏以上，从而使基极输入端子比发射极更正。通过改变该基极-发射极电压V BE，基极电流也被改变，并且这反过来控制流过晶体管的集电极电流量，如前面所讨论的。
    当集电极电流流动时，晶体管被称为饱和。基极电阻的值决定了将晶体管完全“导通”所需的输入电压和相应的基极电流。