IGBT充电电路

出处:何以解忧时间:2011-09-03

IGBT充电电路

  采用IGBT作开关元件时,逆变器电路采用率联谐振逆变电路,如图3-33所示。这种电路的设计和工作原理与用SCR作开关的电路相同。要注意的是,IGBT和VMOS的控制极脉冲宽度必须等于或稍大于谐振电流的流通时间。
  采用IGBT或VMOS器件后,由于它们的导通受栅极控制,因而一般情况下,负载不短路是不会发生连通现象的,因此对这种器件做的电源主要的防止负载短路造成过流事故。
  电路中,对VMOS和IGBT的保护很重要,为了防止过压采用RC吸收电路和其它过压保护电路。半桥电路对开关元件的耐压要求降低。所以常被选用。在逆变器回路中,电感元件很关键,它的大小决定了电流的峰值和平均值的大小,因此在谐振回路中C3一定时,尽可能选用大 的电感。



  
上一篇:触摸式互锁程控电源电路图
下一篇:开关型YAG激光器电源方框图

免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。

相关电路图