这是有关 PWM 控制器设计的系列链接文章中的第三篇。
问题 4 控制器
电源
电源开关 Tr1 现在已被 20mA 电流源取代。有一个 12v 齐纳
二极管来稳定内部电源。这是一个很好的通用电源，优于集成稳压器，原因如下：
其工作电压仅受串联传输
晶体管 Tr1 的击穿电压和功耗限制。
注入
电源线的杂散信号被
齐纳二极管钳位。通常稳压器 IC 不会钳制其输出电压，如果信号进入，输出电压会上升，直到发生故障。
它本质上是故障安全的。几乎任何影响电源电压且足够强大的不利因素都会使钳位齐纳二极管过载。齐纳二极管往往会发生短路故障，充当整个电源的撬棍。
限流
我们失去了感测 MOSFET，旧电路的 Tr12。相反，MOSFET 的 V ds(on)被馈送到 IC1d 的引脚 10，在那里它与来自内部 12v 电源的电压进行比较。
旧电路的“问题”在于它使用了晶体管的 Vbe，因此无法感测小于约 500mV 的V ds(on) 。所以限流不是很可调。新的比较器使用一个比较器，该比较器可以通过改变引脚 11 上的参考电压 有效地检测到零 V ds(on) 。
第 5 部分对电流限制电路进行了更详细的描述，其中它指的是较新的 NCC 电路。然而，这两个系统本质上是相同的，但 NCC 电路使用晶体管钳位检测到的电压，而该电路通过从栅极驱动波形驱动它来关闭检测分压器。的缺点是某些 LM339 品牌对其输入端的负向尖峰极为敏感。这是众所周知的“功能”。显示的从引脚 10 到地的反向偏置二极管用于钳制此类尖峰。它不适用于某些品牌的 LM339！
其他要点
注意在引脚 11 参考偏置分压器中存在一个二极管。传感臂中有一个二极管，连接到底部 MOSFET 的漏极。在偏置网络的底部臂中也包括一个意味着由于环境温度变化引起的任何温度影响不仅会影响传感臂，还会影响偏置臂，因此会相互抵消。
还要注意 Tr6 上的开关。如果关闭，则高侧 MOSFET 永远无法打开，结果是它们充当二极管，因此不可能再生。然而，尽管这可行，但实际上并不建议这样做，因为二极管（例如 MOSFET）在导通时压降的电压远高于主动导通的 MOSFET（它充当电流两个方向的纯
电阻器）。结果是控制器效率低下——或者，简单地说，飞轮 MOSFET 变得非常热，因此需要良好的散热。
