阶跃恢复二极管的正向特性与普通二极管，但反向特性却不一样。当外加电压反向时，阶跃二极管仍有很大的反向电流流过，直至某一时刻才以很快的速度转换到截止状态。其反向特性呈阶跃状，如图5-23（c）所示。

　　利用阶跃二极管的上述特性，有可能在外电路中形成很窄的脉冲，即构成脉冲信号发生器。因此，可用来产生半导体激光器的驱动信号。
　　表征阶跃二极管性能的参数有阶跃时间tt、存储时间ts、结电容Cf、正向电流If、击穿电压UH及功耗等。下面主要介绍存储时间和阶跃时间的定义和作用，参考图5-24.
　　1、存储时间ts
　　存储时间ts是只电压开始反向到反向电流开始减小时这一段时间。它决定于存储电荷的多少及载流子寿命的长短。
　　当阶跃二极管正向导通时间Tf远大于载流子在存储期的有效寿命tF时，存储时间ts可简单表示为ts≈tFln（1+If/Ir）
　　式中 If---正向电流     Ir----反向电流
　　2、阶跃时间tt
　　3、定义为反向电流从0.8Ir下降到0.2Ir所需的时间，就是pn结内剩余载流子耗尽到零所需时间，可近似表示为    tr≈2.3（tR+R0Cf）
　　式中 tR-------载流子在反向恢复期的寿命
　　R0------二极管串联电阻
　　Cf------二极管结电容
　　可见，阶跃二极管的阶跃速度主要取决于pn结的结构和性质。