本电路是由IR2127组成的欠饱和检测电路原理图。

　　图中所示的电流检测电路是所谓的欠饱和检测电路。它起初用于IGBT，用来检测由于过流而过饱和的 IGBT 的电压。这就是说，它也可以用于MOSFET。对于 MOSFET，原理相似，因为过载时 FET 上的电压将会显著增加。
　　图中欠饱和检测电路图计算电阻值用下面的方法。
　　Rg 是门极电阻，选择适当阻值以优化开关速度和开关损耗。
　　R1 典型值为 20k；高的阻值有助于限度地减小由于二极管 D1 而增加的弥勒电容，确保没有显著电流从 HO 流出。注意二极管 D1 应具有和自举二极管一样的特性。
　　当 HO 输出为高时，MOSFET（也可以是 IGBT）Q1 开通。则图 6 中的 X点被拉低至一个电压，此电压等于 FET 上的压降 Vds 加上二极管 D1 压降。所以，当 FET Q1 上的压降达到你所设定的指示过载故障的限值时，我们将关掉驱动器输出。
　　所以 Q1 上 Vds 电压为 10V。一个的超快恢复二极管的典型电压值为1.2V。
　　Vx=VD1+VDSVx=1.2+10Vx=11.2VIR2127 CS 端开启电压为 250mV，所以我们需要对 Vx 分压，使 Vx=11.2V 时，Vy=250mV。
　　VY=Vx * R3/(R2+R3)          设 R2=20k     R3=457PCB布板注意事项以下是在应用电流传感驱动器时布板需要注意的几点。
　　1）尽可能缩短输出到门极的连线（小于 1 inch 比较合适）。
　　2）使电流检测电路尽可能靠近 IC 以使由电路耦合噪声引起误触发的可能性降到。
　　3）所有大电流连线尽可能加宽以减小电感。
　　4）更进一步的布线提示可以参考设计提示 97-3“由控制 IC 驱动的功率电路中的瞬态问题的处理”