本例介绍一款降压型+5V串联开关直流稳压电源电路、脉冲发生器、电压取  样/脉宽调制电路和缓冲驱动电路组成，如图5-38所示

　　输人变换电路由电源变压器T、整流二极管VDl-VD4,滤波电容cl、限流电阻器和稳压二极管VS组成.
　　脉冲发生器电路由时基集成电路IC、电阻器Rl、R2和电容器C2,C5组成.
　　电压取样/脉宽调制电路由电容器C3、电阻器R3- R5、Rll-Rl3和晶体管V4,V5组成.

　　缓冲驱动电路由电阻器R3、R6-RlO、电容器C3、C4、二极管VD5、晶体管Vl-V3和电感器L组成。
　　交流220V电压经T降压、VD1-VD4整流、Cl滤波后，一路直接加至V2的集电极和VF的漏极;一路经R14限流、VS稳压后，为lC和V5提供+5V工作电压。
　　IC通电工作后，其3脚输出频率为14OkHz的矩形波脉冲信号。该信号经R3和C3积分后，Vl-V3去控制功率MOS场效应开关管VF的导通与截止时间，VF源电容器C4储能滤波后，变成稳定的极的输出电压经储能电感L和滤波+5V输出电压。
　　当某种原因引起输出电压偏高 时，会使V4的导通能力增强，其内阻下降，使加至Vl基极的脉冲信号信号宽度变窄，VF的导通时间变短，输出电压降至正常值;当输出电压降低时，V4的导通能力减弱，其内阻增大，使Vl基极的脉冲宽度变宽，W的导通时司变长，输出电压升至正常值。
　　元器件选择
　　R4、R5、Rll和Rl2均选用精密金属膜电阻器;其余各电阻器均选用1/4W的普通碳膜电阻器或金属膜电阻器。
　　选用电流为2A的电感器。
　　Cl选用耐压值为35V的铝电解电容器;C2和C3均选用高频瓷介电容器;C4选用耐压值为16V的铝电解电容器;C5选用涤纶电容器或独石电容器。
　　VDl-VD4选用lN5404或1N5408型硅整流二极管;VD5选用MBR745型肖特基二极管。
　　VS选用lW、5.lV的硅稳压二极管。
　　Vl、V2和V4、V5选用S9014或3DG9014型硅NPN晶体管;V3选用Sg015型硅PNP晶体管。
　　VF选用IRF953型功率MOS场效应晶体管。
　　IC选用NE555型时基集成电路。
　　T选用10-2OW、二次电压为l2V的电源变压器。