在半导体制造领域，WAT 测试是一项至关重要的环节。WAT（Wafer Acceptance Test）测试，也被称作 PCM（Process Control Monitoring），它主要针对 Wafer 划片槽（Scribe Line）测试键（Test Key）进行测试，通过对电性参数的监测来确保各步工艺的正常与稳定。
划片槽和测试键是 WAT 测试的两个关键元素。划片槽是沿着晶圆边缘的窄条区域，其作用是为后续的切割（dicing）过程做准备。而测试键则设置在划片槽内或边缘的特定区域，专门用于 WAT 测试。电性参数涵盖了电容、电阻、接触以及金属线路等方面，这些参数反映了半导体器件的电气特性，如电流传导能力、电压承受能力等，是制造过程中需要重点监控的指标。
除了 WAT 测试，半导体测试还包括 CP（Circuit Probing）和 FT（final test）。CP 也叫 “Wafer Probe” 或者 “Die Sort”，它对整片 Wafer 的每个 Die 的基本器件参数进行测试，例如 Vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等。通过 CP 测试，能够将坏的 Die 挑出来，并用墨点（Ink）标记，这样可以有效减少封装和测试的成本。只有 CP pass 的 Die 才会进行封装，一般测试机台的电压和功率不高。CP 测试主要是检查 Fab 厂制造的工艺水平。
FT 是对封装好的 Chip 进行 Device 应用方面的测试，目的是把坏的 chip 挑出来。FT pass 后还会进行 process qual 和 product qual，它主要检查封装造厂的工艺水平。广义上的 FT 也称为 ATE（Automatic Test Equipment），通常情况下，ATE 通过后就可以出货给客户。但对于要求较高的公司或产品，FT 测试通过之后，还会进行 SLT（System Level Test）测试，也称为 Bench Test。SLT 测试比 ATE 测试更为严格，一般是功能测试，用于测试具体模块的功能是否正常，经过长期的多工况验证，能够满足更多生产环境和工程环境的要求。
WAT 监控工艺有其特定的流程，而 WAT 测试也有多种常见结构。
隔离结构：用于测量黄光、刻蚀与导线相关的能力，如 AA，Poly，Metal。测试方法是在两个 Pad 上加电压测量电流或加电流测量电压。
导通结构：同样用于测量黄光、刻蚀与导线相关的能力，测试方法是在两个 Pad 上加电压测量电阻。
孔接触结构：用于测量孔相关的工艺能力，测试方法为在两个 Pad 上加电压测量电阻。
薄层电阻结构：用于测量导线的 Rs，测试方法是在两个 Pad 上加电压测量电阻。
栅介质结构：用于监控栅介质的厚度，通过测量 MOS 电容的容值，然后计算得出栅介质厚度。
接点泄漏结构：用于监控 S/D 接点漏电流，测试方法是在两个 Pad 上加电压测量电流或加电流测量电压。
场效应器件结构：用于监控隔离能力，有 Poly 和 Metal 2 种结构。测试方法是体硅接地，栅极加载扫描电压，测量 Pad 间的电流。
硅化物桥连结构：用于监控 Spacer 是否存在硅化物残留，测试方法是 Pad 间加电压，测量电流。
器件结构：用于监控器件表现，Vt，Ion，Ioff，Idsat，DIBL，Isub，Ig 等按定义进行测试。
此外，还有一些其他结构。设计规则检查结构，例如结到阱间距规则检查、阱包围规则检查、多晶硅端帽规则检查、接触孔到多晶硅间距规则检查等。H 型器件用于监测器件的 “驼峰现象”（hump phenomena）。米勒电容用于监测多晶硅的边缘放置误差（E - CD，Edge Critical Dimension）。同时，还会使用小电阻监测晶圆允收测试（WAT，Wafer Acceptance Test）探针卡的接触电阻。
