在电子电路领域，LLC 电路中的开关损耗及软开关技术是非常重要的研究课题。下面将详细介绍开关管损耗的来源、开关损耗的具体情况、软开关的概念以及软开关在 BUCK 电路中的应用。
开关管损耗来源
导通损耗：MOS 管在导通时，会形成一个沟道，以 N 沟道 MOS 管为例，导通时由 N 型载流子形成沟道，DS 之间存在导通电阻。根据公式
（其中I是流过管子的电流，R为导通电阻，P就是导通损耗），可知导通损耗与电流的平方和导通电阻有关。
开关损耗：MOS 管在开通和关断过程中都会产生损耗，其损耗功率可通过公式
P=U×I
计算，这里的 U 是 MOS 管两端的电压，I 是流过的电流。
反向恢复损耗：MOS 管具有寄生二极管（体二极管），它由 MOS 管内部的 PN 结形成。由于 PN 结存在空间电荷区，在正向导通和反向截止的切换过程中，会对空间电荷区进行充放电，从而产生损耗。
开关损耗详情（以 BUCK 电路为例）
开通损耗：在上管 MOS 管开通时，模拟电路中电压从 0 到高是一个缓慢的过程。在 MOS 导通前，电压一定为 0；当达到 MOS 管导通电压时，MOS 管导通，电压开始逐渐下降，电流逐渐上升，这个过程所经历的时间记为 ton
此时会产生开通损耗。MOS 管关断时，两端存在电压（应力）；导通之后，两端电压为 0。即 MOS 关断时应力等于电源电压Vin，导通时电流为Iload由公式P=U×I
可推导出开通损耗的具体表达式。
关断损耗：当 MOS 管关断时，驱动从高电平变为低电平。高电平时有电流流过，低电平时无电流。当驱动为高电平时，MOS 管无电压也无应力；当驱动为低电平时，有电压也有应力。在 MOS 管关断过程中，应力逐渐上升，电流逐渐下降。同样根据公式
P=U×I
可推导出关断损耗的表达式。
ZCS 与 ZVS
软开关：软开关要求开关损耗等于 0，即
P=U×I×t=0
。由于时间 t
不可能为 0，虽然可以加快驱动上升速度，但因存在寄生电容，MOS 管导通相当于给寄生电容充电，上升时间不可能变为零。
零电压导通（ZVS）：要实现零电压导通，需在开通之前让电压先降到 0，然后再开通。这样电流上升过程与电压下降过程没有交点，在开通瞬间电压
U=0
电流 I不为 0，从而实现软开关。
零电流关断（ZCS）：实现零电流关断，应在关断之前让电流先到 0，然后再关断。此时电流下降过程与电压上升过程没有交点，在关断瞬间电流
I=0，电压U
不为 0，进而实现软开关。
BUCK 电路中软开关的应用
BUCK 的基本原理：左图为上管发波，电感储能的过程；右图上管关断，不管下管发不发波，电感的电流都会通过下管的体二极管续流。
上管关断的详细过程：在电感储能过程中，A 点电压Vin
；上管关断后，通过 Q2 的体二极管进行续流，假设地为零，二极管压降为 0.7V，则稳定状态时 A、B、C 点都是 - 0.7V。由于上管电流也是逐渐减到 0 的，在下管开始续流时上管仍有电流。电感电流在储能续流过程中不变，会从 C3 抽取能量，使得 Vc 一直减小到 - 0.7V≈0，即下管的应力也减小到 0，I
也减小到 0，上管电流也逐渐减到 0，终实现无开通损耗，达成软开关。
BUCK 电路中下管的电压电流波形：当上管驱动电压从高到低时，下管二极管开始续流，下管的电流开始逐渐上升；下管电流上升过程中，下管应力逐渐减小；当下管应力小到 0 时，下管电流趋于稳定；在下管电流趋于稳定后，下管发波导通。因为应力为零，根据公式
P=U×I ，其中U=0则P等于 0，实现零电压导通。
（此处可根据原文图片顺序依次插入更多图片）
通过对 LLC 电路中开关损耗及软开关技术的深入理解，可以更好地优化电路设计，提高电路的效率和性能。
