应变片是一种用于测量物体应变(形变)的传感器,其原理是基于电阻随形变变化的效应(压阻效应)。当被测物体发生拉伸或压缩时,应变片的电阻值会相应改变,通过测量电阻变化即可计算出应变值。
敏感栅(Grid)
由金属箔(如康铜)或半导体材料(如硅)制成,呈迂回形状以增大敏感区域。
基底(Substrate)
通常为聚酰亚胺或环氧树脂,用于固定敏感栅并绝缘。
引线(Leads)
连接敏感栅与测量电路(如惠斯通电桥)。
应变-电阻关系:
应变片的电阻变化(ΔR)与应变(ε)成正比,关系式为:
R:初始电阻(通常为几十欧至几千欧)。
K:应变系数(Gauge Factor),金属箔应变片 K≈2,半导体应变片 K≈50?200。
ε:应变值(无量纲,通常以微应变με为单位,1 με = 10??)。
测量电路:
通常采用惠斯通电桥,将电阻变化转换为电压信号,以提高灵敏度并补偿温度影响。
应变片的功耗(P)主要由其工作电压和电阻决定,计算公式为:
其中:
V:激励电压(通常为1–10V)。
R:应变片电阻(如120Ω、350Ω等)。
激励电压(V)
功耗与电压平方成正比,提高电压可增强信号,但会增大功耗和自热效应。
典型电压:1–5V(低功耗应用可能低至0.5V)。
应变片电阻(R)
电阻越大,功耗越低(如350Ω比120Ω更省电)。
工作模式
静态测量:持续通电,功耗较高。
动态/间歇测量:周期性供电(如PWM激励),可大幅降低平均功耗。
环境温度
温度升高可能导致电阻变化,间接影响功耗稳定性。
电路设计
使用低功耗放大器、高输入阻抗ADC可减少电流需求。
降低激励电压:在信号可检测范围内选择电压。
选择高阻值应变片:如350Ω或1kΩ,减少电流。
间歇供电:仅在采样时通电(适用于低速测量)。
桥路优化:采用半桥或全桥配置,提高灵敏度以减少电压需求。
温度补偿:避免因温漂导致额外功耗。
应变片的功耗主要由激励电压和电阻值决定,需权衡信号质量与能耗。
在低功耗设计中,可通过降低电压、间歇供电或选择高阻值应变片来优化。
半导体应变片(高K值)虽灵敏度高,但功耗和温漂较大,需谨慎选用。
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