在电子电路中，MOS 管和三极管是非常重要的电子元件，而它们电路中的电阻和电容也发挥着不可或缺的作用。本文将详细解释三极管中电容 C25 的滤波作用和基极电阻 R35、R37 的功能，以及 MOS 管栅极电阻 R42、R43 的限流与开启特性，同时强调 MOS 管二极管 U15 在关断过程中的保护作用，还会提及三极管和 MOS 管作为电流元件和电压元件的区别。
在三极管电路中，电容 C25 起着滤波的重要作用。它能够使控制信号更加稳定，过滤掉信号中的杂波和干扰，让三极管能够更可靠地工作。例如，在一些对信号稳定性要求较高的音频放大电路中，电容 C25 的滤波作用就显得尤为关键。
基极电阻 R35 的主要功能是防止基极电流过大。三极管的基极电流如果过大，可能会导致三极管过热甚至损坏，影响整个电路的正常运行。所以，R35 就像一个 “守门员”，限制基极电流在安全范围内。
基极和发射极之间并联的电阻 R37 也有其独特的作用。当 BJT1 引脚悬空时，由于控制引脚悬空时处于高阻态，R37 能确保 BJT1 的引脚电平被下拉至 GND，从而保证三极管不会导通。而且，当 BJT1 引脚输出高电平导通三极管时，R37 几乎不会产生分压效果，相当于被 Rbe 电阻短路，因为 Rbe 电阻远小于 R37 的 10k。具体的模拟情况可以更直观地展示这些特性。
在 MOS 管电路中，栅极电阻 R42 和 R43 同样是为了限流。除此之外，R42 栅极电阻还是 MOS 管的开启电阻。如果该电阻过大，会导致 MOS 开启速度慢，影响电路的响应速度；如果电阻过小，则会导致控制信号震荡，使电路工作不稳定。
U15 二极管在 MOS 管关断过程中起着保护作用。在 MOS 管关断时，高 dVds/dt 在寄生米勒电容 Cgd 中产生位移电流 I。位移电流通过栅极电阻 Rg 产生一个加在 MOSFET 栅极的电压，如果这个电压过高，超过 MOSFET 的阈值电压，会导致 MOSFET 发生寄生导通。为了避免这种情况，我们加了一个二极管 U14。当 MOS 的栅极电压达到二极管导通电压时，电荷就会通过二极管，这样就不会误触发 G 极。R44 并联在 G 极和 S 极电阻的作用是在关断时卸掉旁路电容的电荷。
作者在模拟过程中发现，三极管是电流元件，而 MOS 管是电压元件。通过电压表 1 和电压表 2 的电压数值就可以看出，三极管基极有电流流过，所以基极电压是 BE（基极和发射极）导通电压接近 0.7v，而 MOS 管的 GS 极是没有电流流过的，是电压器件。这一区别在不同的电路应用中有着重要的意义，例如在功率放大电路、开关电路等方面，需要根据它们的特性来选择合适的元件。
