在电子元器件采购过程中，不少公司的采购人员常常会遇到这样的困扰：拿着工程师提供的物料清单（BOM）去采购元器件时，供应商往往还会进一步询问更多细节，否则就难以确定应该提供哪种物料。更严重的是，有时采购回来的物料根本无法使用。出现这种情况的关键原因在于，许多经验不足的工程师在填写 BOM 时，没有将器件型号完整准确地书写出来。下面，我们就详细举例说明完整的器件型号究竟是怎样构成的。
完整的器件型号通常由主体型号、前缀和后缀等部分组成。一般来说，工程师们往往只关注前缀和主体型号，而后缀部分则容易被忽视，甚至有少数工程师连前缀都会忽略。需要明确的是，并非所有器件都一定有前缀和后缀，但只要器件存在前缀和后缀，就不能省略。
器件前缀通常代表着器件所属的较大系列。例如，在逻辑 IC 领域，74LS 系列代表低功耗肖特基逻辑 IC，而 74ASL 系列则代表先进的低功耗肖特基逻辑 IC，相比之下，74ASL 系列的性能更为优越。再如，2N5551 三极管和 MMBT5551 三极管，它们的封装形式不同，前者是插件式（TO - 92），后者是贴片式（SOT - 23）。如果 BOM 上仅仅写 5551 三极管，那么采购人员根本无法确定具体是哪一种。
在实际情况中，忽略前缀的现象相对较少，而忽略后缀的情况则较为普遍。一般而言，后缀具有以下多种重要用途：
- 区分细节性能：以 MAXIM 公司的复位芯片 MAX706 为例，同样是 706 型号，却存在几种不同的阀值电压。其中，MAX706S 的阀值电压为 2.93V，MAX706T 的阀值电压为 3.08V，这里的后缀 “S” 和 “T” 就明确代表了不同的阀值电压。
- 区分器件等级和工作温度：例如 TI 公司的基准电压芯片 TL431，TL431C 表示该器件的工作温度范围是 0 度至 70 度，属于民用级；TL431I 表示器件的工作温度范围是 - 40 度至 85 度，属于工业级。其中，后缀 “C” 和 “I” 分别代表了不同的工作温度等级。
- 区分器件封装形式：还是以 TI 公司的基准电压芯片 TL431 为例，TL431CP 代表的是 PDIP 封装，TL431CD 代表的是 SOIC 封装。这里的后缀 “P” 和 “D” 就代表了不同的封装形式（“C” 代表温度，前文已做解释）。
- 区分订货包装方式：比如 TI 公司的基准电压芯片 TL431 CD，如果要求按照盘装（2500PCS / 盘）的方式进行采购，那么就必须按照 TL431 CDR 的型号下单，这里的后缀 “R” 代表的就是盘装。否则，若按照 TL431 CD 下单，买回来的物料可能是管装（75PCS / 管）的。
- 区分有铅和无铅：以 ON 公司的比较器芯片 LM393D（“D” 表示是 SOIC 封装）为例，如果需要使用无铅型号，就必须按照 LM393DG 下单，这里的后缀 “G” 表示无铅型号，没有这个后缀则表示是有铅型号。
实际上，后缀可能还有其他一些特殊的用途。总之，后缀所包含的信息不能省略，否则采购回来的物料很可能并非是我们所需要的。不同公司的前缀和后缀可能存在差异（也有少数公司的部分前缀后缀是一致的），这就需要我们参考实际选用厂家的具体情况来确定。
接下来，我们再了解一下各国半导体元器件型号的命名方法：
半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN 型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分的具体意义如下：
- 部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。其中，“2” 代表二极管，“3” 代表三极管。
- 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时，“A” 代表 N 型锗材料，“B” 代表 P 型锗材料，“C” 代表 N 型硅材料，“D” 代表 P 型硅材料；表示三极管时，“A” 代表 PNP 型锗材料，“B” 代表 NPN 型锗材料，“C” 代表 PNP 型硅材料，“D” 代表 NPN 型硅材料。
- 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。例如，“P” 代表普通管，“V” 代表微波管，“W” 代表稳压管，“C” 代表参量管，“Z” 代表整流管，“L” 代表整流堆，“S” 代表隧道管，“N” 代表阻尼管，“U” 代表光电器件，“K” 代表开关管，“X” 代表低频小功率管（f < 3MHz，Pc < 1W），“G” 代表高频小功率管（f > 3MHz，Pc < 1W），“D” 代表低频大功率管（f < 3MHz，Pc > 1W），“A” 代表高频大功率管（f > 3MHz，Pc > 1W），“T” 代表半导体晶闸管（可控整流器），“Y” 代表体效应器件，“B” 代表雪崩管，“J” 代表阶跃恢复管，“CS” 代表场效应管，“BT” 代表半导体特殊器件，“FH” 代表复合管，“PIN” 代表 PIN 型管，“JG” 代表激光器件。
- 第四部分：用数字表示序号。
- 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号。例如，3DG18 表示 NPN 型硅材料高频三极管。
日本生产的半导体分立器件，由五至七部分组成，通常只用到前五个部分，各部分的符号意义如下：
- 部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。“0” 代表光电（即光敏）二极管三极管及上述器件的组合管，“1” 代表二极管，“2” 代表三极或具有两个 pn 结的其他器件，“3” 代表具有四个有效电极或具有三个 pn 结的其他器件，依此类推。
- 第二部分：日本电子工业协会 JEIA 注册标志。“S” 表示已在日本电子工业协会 JEIA 注册登记的半导体分立器件。
- 第三部分：用字母表示器件使用材料极性和类型。“A” 代表 PNP 型高频管，“B” 代表 PNP 型低频管，“C” 代表 NPN 型高频管，“D” 代表 NPN 型低频管，“F” 代表 P 控制极可控硅，“G” 代表 N 控制极可控硅，“H” 代表 N 基极单结晶体管，“J” 代表 P 沟道场效应管（如 2SJ），“K” 代表 N 沟道场效应管（如 2SK），“M” 代表双向可控硅。
- 第四部分：用数字表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的顺序号。两位以上的整数，从 “11” 开始，表示在日本电子工业协会 JEIA 登记的顺序号；不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。
- 第五部分：用字母表示同一型号的改进型产品标志。“A、B、C、D、E、F” 表示这一器件是原型号产品的改进产品。
美国晶体管或其他半导体器件的命名法较为混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：
- 部分：用符号表示器件用途的类型。“JAN” 代表军级，“JANTX” 代表特军级，“JANTXV” 代表超特军级，“JANS” 代表宇航级。
- 第二部分：用数字表示 pn 结数目。“1” 代表二极管，“2” 代表三极管，“3” 代表三个 pn 结器件，“n” 代表 n 个 pn 结器件。
- 第三部分：美国电子工业协会（EIA）注册标志。“N” 表示该器件已在美国电子工业协会（EIA）注册登记。
- 第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字表示该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。
- 第五部分：用字母表示器件分档。“A、B、C、D……” 表示同一型号器件的不同档别。例如，JAN2N3251A 表示 PNP 硅高频小功率开关三极管，其中 “JAN” 代表军级，“2” 代表三极管，“N” 代表 EIA 注册标志，“3251” 代表 EIA 登记顺序号，“A” 代表 2N3251A 档。
德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如下：
- 部分：用字母表示器件使用的材料。“A” 表示器件使用材料的禁带宽度 Eg = 0.6 ~ 1.0eV（如锗），“B” 表示器件使用材料的 Eg = 1.0 ~ 1.3eV（如硅），“C” 表示器件使用材料的 Eg > 1.3eV（如砷化镓），“D” 表示器件使用材料的 Eg < 0.6eV（如锑化铟），“E” 表示器件使用复合材料及光电池使用的材料。
- 第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。“A” 代表检波开关混频二极管，“B” 代表变容二极管，“C” 代表低频小功率三极管，“D” 代表低频大功率三极管，“E” 代表隧道二极管，“F” 代表高频小功率三极管，“G” 代表复合器件及其他器件，“H” 代表磁敏二极管，“K” 代表开放磁路中的霍尔元件，“L” 代表高频大功率三极管，“M” 代表封闭磁路中的霍尔元件，“P” 代表光敏器件，“Q” 代表发光器件，“R” 代表小功率晶闸管，“S” 代表小功率开关管，“T” 代表大功率晶闸管，“U” 代表大功率开关管，“X” 代表倍增二极管，“Y” 代表整流二极管，“Z” 代表稳压二极管。
- 第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字代表通用半导体器件的登记序号，一个字母加二位数字表示专用半导体器件的登记序号。
- 第四部分：用字母对同一类型号器件进行分档。“A、B、C、D、E……” 表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。
除四个基本部分外，有时还会加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：
- 稳压二极管型号的后缀：其后缀的部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母 “A、B、C、D、E” 分别表示容许误差为 ±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母 “V”，代表小数点，字母 “V” 之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。
- 整流二极管后缀：是数字，表示器件的反向峰值耐压值，单位是伏特。
- 晶闸管型号的后缀：也是数字，通常标出反向峰值耐压值和反向关断电压中数值较小的那个电压值。例如，BDX51 表示 NPN 硅低频大功率三极管，AF239S 表示 PNP 锗高频小功率三极管。
欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法：
- 部分：“O” 表示半导体器件。
- 第二部分：“A” 代表二极管，“C” 代表三极管，“AP” 代表光电二极管，“CP” 代表光电三极管，“AZ” 代表稳压管，“RP” 代表光电器件。
- 第三部分：多位数字表示器件的登记序号。
- 第四部分：“A、B、C……” 表示同一型号器件的变型产品。
