对于寻求提高效率的工程师来说，电源模块是向前迈出的一大步。它们比离散组件具有多个优点，其中一种是较高的寄生性能。尽管如此，仍然存在改进的空间，特别是将电动组件与电源模块相关的电动组件进行考虑。这些连接仍然是寄生电感的来源，会对开关性能产生不利影响。如果设计缺少必要的电压缓冲区，他们甚至可能会危害开关元素。
逆变器电桥中的寄生电感导致效率低下。电源设备关闭周期期间的电压尖峰（图1）以高率/dt的速度高：
vcd（peac）=vce+lx times fracdidt
图1：电源开关的关闭曲线（UCE和IC）
图1：电源开关的关闭曲线（UCE和IC）
可能必须增加切换时间，以防止电压尖峰损坏功率设备。增加电源设备的切换时间还将增加每个电源开关中的转交和关闭损失。这增加了开关损耗，从而在开关设备中产生更多的热量。
直流链路电容器可以减轻直流电源源的电感效果，并降低开关组件的电压过冲。良好性能的关键是连接这些零件的低电感设计，以地减少PCB和模块引脚的杂散电感。即便如此，无论设计人员如何仔细配置该电路，寄生电感的减少还是不明显的。当然，它无法将安装电容器与模块中的冷冻功能进行比较（图2）。该集成的电容器提供了一个低电感的高频解决方案，可关闭换向循环。
图2：与模块设计的寄生电感相关的责备电容器的位置
这是Vincotech的标准实践，用于集成MLCC SMD电容器。高压（650 -1000 V）零件在尺寸为1206至2220的情况下，可以用作冷静仪。根据给定规范，可以使用不同类型的电容器。带有X7R（Class2）介电材料的设备在与C0G/NP0零件相同的包装中具有更高的电容，但是2类材料具有显着的直流偏置效应。这意味着在额定电压下，零件的电容值显着降低（图3）。
图3：k-sim（www.kemet.com）X7R电容器的仿真显示DC偏差依赖性
进行了图4中所示的SIC MOSFET助推器配置的比较测量，以说明不同设置的行为，包括一个没有Snubber电容器的设置。该测试使用了标准的双脉冲测量系统和MOSFET的名义电流。开关设备被封装在标准的Vincotech软件包中，并在设计上放置了额外的责备。
图4：助推器配置以测试集成的DC Snubber效果
| 选项 | 价值 | 过冲（） |
| 没有电容器 | - | 205（805 V） |
| x7r | 100 nf | 150（750 V） |
| C0G | 22 nf | 121（721 V） |
表1：SMD电容器对超冲压电压的效果
集成的电容器大大降低了开关设备在关闭过程中的电压超冲压。该测试还强调了电容器介电材料之间的差异。 C0G/NP0设备的电容明显低于其X7R对应物，并且表现出更好的性能。这归因于X7R 2类材料的高直流偏置效应。
DC Snubber效应测试电路的开关波形。黄色=门电压;绿色=收集器发射器电压；粉红色=收集器电流
图5：DC Snubber效应测试电路的开关波形。黄色=门电压;绿色=收集器发射器电压；粉红色=收集器电流
C0G/NP0电容器的耗散因子（DF）参数优于X7R的参数，由于耗散因子的较低ESR（等效串联电阻）成分，因此X7R的自热性较小。
