请注意，单结晶体管的符号看起来与结型场效应晶体管或 JFET 的符号非常相似，只是它有一个代表发射极 ( E ) 输入的弯曲箭头。虽然 JFET 和 UJT 的欧姆通道相似，但其工作方式却截然不同，不应混淆。
那么它是如何运作的呢？从上面的等效电路可以看出，N 型沟道基本上由两个电阻器R B2和R B1与一个等效（理想）二极管串联组成，D代表连接到它们中心点的 pn 结。该发射极 pn 结在制造过程中沿着欧姆通道固定就位，因此无法更改。
电阻R B1给出在发射极E和端子B 1之间，而电阻R B2给出在发射极E和端子B 2之间。由于pn结的物理位置比B 1更靠近端子B 2 ，因此R B2的电阻值将小于R B1。
硅棒的总电阻（其欧姆电阻）将取决于半导体的实际掺杂水平以及N型硅沟道的物理尺寸，但可以用R BB表示。如果使用欧姆表测量，对于常见的 UJT（例如 2N1671、2N2646 或 2N2647），该静态电阻的测量值通常约为 4kΩ 至 10kΩ。
这两个串联电阻在单结晶体管的两个基极端子之间产生一个分压器网络，并且由于该沟道从B 2延伸到B 1，因此当在器件上施加电压时，沿沟道的任何点的电势将在与其在端子B 2和B 1之间的位置成比例。因此，电压梯度的水平取决于电源电压的大小。
在电路中使用时，端子B 1连接到地，发射极用作器件的输入。假设在B 2和B 1之间的UJT 上施加电压V BB，使得B 2相对于B 1偏置为正。在施加零发射极输入的情况下，电阻分压器的R B1 （较低电阻）上产生的电压可计算如下：
单结晶体管 R B1电压
单结晶体管rb1电压
对于单结晶体管，上面显示的R B1与R BB的电阻比称为固有隔离比，并用希腊符号表示：η (eta)。对于常见的 UJT，η的典型标准值范围为 0.5 至 0.8。
如果现在向发射极输入端子施加小于电阻两端产生的电压R B1 ( ηV BB ) 的小正输入电压，则二极管 pn 结反向偏置，从而提供非常高的阻抗，并且器件不会执行。 UJT 切换为“OFF”并且零电流流动。
然而，当发射极输入电压增加并变得大于V RB1（或ηV BB + 0.7V，其中 0.7V 等于 pn 结二极管电压降）时，pn 结变为正向偏置，单结晶体管开始导通。结果是发射极电流ηI E现在从发射极流入基极区域。
流入基极的额外发射极电流的影响减少了发射极结和B 1端子之间通道的电阻部分。R B1电阻值减小到非常低的值意味着发射极结变得更加正向偏置，从而导致更大的电流。其结果是在发射极端子处产生负电阻。
同样，如果施加在发射极和B 1端子之间的输入电压降低到击穿以下的值，则R B1的电阻值增加到高值。那么单结晶体管可以被认为是一种电压击穿器件。
因此我们可以看到， R B1呈现的电阻是可变的，并且取决于发射极电流I E的值。然后，相对于B 1正向偏置发射极结会导致更多电流流动，从而减小发射极、 E和B 1之间的电阻。
换句话说，流入 UJT 发射极的电流会导致R B1的电阻值降低，并且其两端的电压降V RB1也必须降低，从而允许更多电流流动，产生负电阻条件。
