参数 | 直流电阻(DCR) | 交流电阻(阻抗,Z) |
---|---|---|
定义 | 导体在直流电流下对电子的阻碍作用 | 导体在交流电流下表现的总阻碍(含相位变化) |
物理量符号 | R(纯实数) | Z = R + jX(复数,含实部和虚部) |
单位 | 欧姆(Ω) | 欧姆(Ω) |
直流电阻(DCR):
仅由导体材料的欧姆损耗决定,符合欧姆定律(V=IR)。
源于电子与晶格碰撞产生的热能损耗。
交流电阻(阻抗):
包含电阻分量(R)和电抗分量(X),后者由感抗(X<sub>L</sub>)和容抗(X<sub>C</sub>)组成。
受频率影响显著,高频下需考虑集肤效应、邻近效应和介质损耗。
特性 | 直流电阻 | 交流阻抗 |
---|---|---|
频率影响 | 与频率无关 | 随频率变化(Z = √(R2 + X2)) |
高频表现 | 恒定 | 集肤效应导致等效电阻增大 |
示例:
铜线的DCR在直流下为0.1Ω,但在1MHz交流下因集肤效应等效电阻可能升至1Ω。
直流电阻:电压与电流同相位(无相位差)。
交流阻抗:
感性负载(如线圈):电流滞后电压。
容性负载(如电容):电流超前电压。
材料电阻率(ρ):铜(低ρ)vs. 铁(高ρ)。
几何尺寸:长度(L)↑ → R↑;截面积(A)↑ → R↓。
温度:金属R随温度升高而增大(正温度系数)。
计算公式:
RDC=ρ?AL频率(f):
感抗:X<sub>L</sub> = 2πfL
容抗:X<sub>C</sub> = 1/(2πfC)
寄生参数:
导线的分布电感、电容。
磁芯损耗(如变压器)。
集肤深度(δ):
δ=πfμρ高频电流仅集中在导体表面,导致有效截面积减小。
场景 | 直流电阻的重要性 | 交流阻抗的重要性 |
---|---|---|
电源设计 | 计算线路损耗(如PCB走线压降) | 开关电源的高频纹波抑制 |
音频电路 | 扬声器音圈直流电阻匹配 | 分频器的感抗/容抗设计 |
射频工程 | 天线馈线的基础损耗 | 阻抗匹配(50Ω/75Ω系统) |
电机控制 | 绕组铜损计算 | 交流驱动下的涡流损耗 |
工具:万用表(欧姆档)、四线制开尔文电桥。
条件:静态测试(无交流信号输入)。
工具:LCR表、网络分析仪(VNA)。
条件:需指定测试频率(如1kHz、1MHz)。
注意:
电感/电容的DCR可用万用表测量,但其交流阻抗需LCR表。
高频下(>100MHz),需考虑测试夹具的寄生效应。
DCR:直流下测得0.5Ω(铜线损耗)。
阻抗@1kHz:Z = 0.5 + j30Ω(感抗主导)。
阻抗@1MHz:Z = 2 + j3000Ω(集肤效应导致R增大)。
直流分析:线宽1mm、铜厚35μm的走线,DCR=0.02Ω/cm。
交流分析:10GHz时,因集肤效应有效电阻升至0.5Ω/cm。
误区1:“导体的交流电阻一定比直流电阻大。”
事实:容性负载中,交流阻抗可能更低(如电容通高频)。
误区2:“万用表测出的电阻值适用于所有频率。”
事实:万用表测得的是DCR,高频需专用仪器。
维度 | 直流电阻(DCR) | 交流阻抗(Z) |
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本质 | 欧姆损耗 | 损耗 + 能量存储(相位差) |
频率影响 | 无关 | 高度依赖频率 |
测量 | 万用表 | LCR表/VNA |
设计重点 | 功率损耗、压降 | 阻抗匹配、信号完整性 |
设计建议:
低频/直流电路优先关注DCR(如电源布线)。
高频/交流电路必须计算阻抗(如射频天线、高速数字信号)。
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