AHV85000 和 AHV85040 芯片与外部变压器的集成对于实现各种清洁能源应用中的无缝设计和电源效率优化至关重要。这些应用包括太阳能逆变器、电动汽车充电基础设施、储能系统和数据中心电源装置。
这款新型组合芯片融合了 Allegro 当前栅极驱动器技术的优势，同时将隔离变压器从内部移至外部。Allegro 的 Power-Thru IC 为工程师提供了隔离、功率和布局参数方面的增强设计灵活性，使他们能够根据其特定设计需求选择合适的变压器。
该芯片组采用一对双扁平无引线 (DFN-10) 表面贴装封装，每个封装尺寸为 3 × 3 毫米，包含 10 个引脚。集成系统具有各种保护功能，例如主偏置轨和次级偏置轨上的欠压锁定、IN 引脚和 OUTPD 引脚上的内部下拉以及快速响应使能输入/故障输出引脚机制。
双芯片解决方案的典型应用是图 1 所示的半桥拓扑结构。这里消除了高端自举电路。
图 1：AHV85x 芯片组的典型应用（来源：Allegro Microsystems）
变压器选择
AHV85000 和 AHV85040 芯片组用作隔离式GaN FET 栅极驱动器组件中的初级侧发射器 (TX) 和次级侧接收器 (RX) 组件。该芯片组需要一个外部变压器，该变压器连接在 TX 和 RX IC 之间，以将 PWM 信号和栅极偏置功率分别传输到次级侧。该变压器具有基本的双绕组、四引脚配置，由初级参考 TX 绕组和次级参考 RX 绕组组成。
Allegro 表示，新款 GaN 驱动器芯片组带来了灵活性，使客户能够以的“模块级”自由度将 GaN 栅极驱动器构建到他们的系统中。两个微型 3 × 3 毫米 DFN 芯片可以放置，次级 DFN 正好放置在功率 GaN 开关处，而主 DFN 则可以自由放置在应用中的可用空间中；例如，靠近控制器。
Allegro 的代表表示：“一步是将变压器放置在两个 DFN 芯片之间位置。这样，系统设计人员就可以限度地灵活地利用其应用空间，同时高效驱动 GaN 开关。”
Allegro 为该 GaN 芯片组提供了数据表和应用说明，为客户提供来自两个独立供应商的推荐变压器以及基本或增强隔离等级的选项。
“如果系统设计人员想要设计自己的定制变压器，平衡变压器效率和体积，我们还提供变压器参数要求，”该代表说。“使用更厚的绕组将使变压器和栅极驱动系统更加高效，但代价是变压器体积略有增加。这是一些客户可能决定实施的权衡，以优化其特定应用设计。”
就效率而言，当变压器嵌入封装中时，效率由封装、变压器效率和栅极驱动器的有限体积决定。据 Allegro 称，外部变压器方法为那些希望获得更高驱动器效率的客户打开了大门，他们可以牺牲栅极驱动器体积来换取更好的驱动效率，从而获得更好的热性能。
