过压可通过瞬态电压抑制(TVS)来缓解 。这涉及使用半导体器件(例如 TVS 二极管)作为电压钳位器件,当瞬态电流超过额定阈值时,它们会为电流提供低阻抗路径。在为高压栅极驱动器选择 TVS 二极管时,请考虑二极管在瞬态事件期间可以处理的峰值脉冲电流以及二极管吸收和耗散的能量。根据钳位电压和瞬态功率,可以轻松估算 TVS 二极管的电流阈值,其中 (t pulse ) 是瞬态脉冲持续时间。
IPP=EtransientVC×tpulse
另一种缓解高压栅极驱动器过压效应的方法是使用 RC 缓冲电路,该电路通过串联电阻和电容来抑制电压尖峰。在电路设计期间,选择能够吸收电动汽车电感负载能量的电容以确保性能。根据允许的电压尖峰以及电感及其峰值电流,可以轻松估算缓冲电路中要使用的电容。另一方面,为电路选择合适的电阻应基于电路的特性阻抗,允许能量耗散而不会造成过多的功率损失。
C≥L?I2V2spike
欠压及缓解欠压是另一个会影响电动汽车高压栅极驱动器性能的显著问题。欠压导致的栅极驱动器电压不足会导致驱动器中功率晶体管切换不完整。这会降低驱动器功率晶体管的电源转换过程的效率。欠压影响栅极驱动器的另一种方式是通过降低开关速度导致功率晶体管产生开关损耗。开关损耗会增加开关事件期间耗散的能量,从而降低驱动器中晶体管的开关效率。在评估开关损耗时,可以考虑开关时间 (t sw )、漏极电流 (I ds )、开关频率 (f sw ) 和漏源电压 (V ds ),以更优化电动汽车栅极驱动器中功率晶体管的开关特性。
Psw=12Vds×Ids×fsw×tsw
在缓解欠压时,可以采取两种常见方法来优化栅极驱动器的性能。种方法是使用欠压锁定 (UVLO),通过监控电压供应来维持电压阈值。如果电源电压低于阈值,则驱动器将被禁用以避免操作不当。UVLO阈值 总结了栅极晶体管完全切换所需的电压和设定的安全裕度,该安全裕度考虑了噪声、公差和 UVLO 电路中的压降等方面。
第二种方法是使用电源开关和线性稳压器,如低压差稳压器 (LDO)。这些电源稳压器可确保栅极驱动器中功率晶体管的充分切换和功率损耗的降低。稳压器通常使用两个电阻器来形成分压器,其中电阻比决定了稳压后的输出电压。在稳压器的内部参考电路中,我们还可以考虑其参考电压 (V ref ) 来评估稳压电源电压。在设计栅极驱动器的电源时,这一点至关重要,因为它能实现更、更稳定的功率流,有助于保持电动汽车动力系统的整体性能和可靠性。
Vout=Vref(1+R2R1)
高压栅极驱动器中的热应力Tj=Ta+Ptotal×θja
提供高压栅极驱动器中使用的功率晶体管的结温较高,会导致晶体管导通电阻增加,从而产生传导损耗。这会引起可靠性问题,例如加速半导体材料的老化,并终因电迁移 和氧化物击穿而导致故障。免责声明: 凡注明来源本网的所有作品,均为本网合法拥有版权或有权使用的作品,欢迎转载,注明出处。非本网作品均来自互联网,转载目的在于传递更多信息,并不代表本网赞同其观点和对其真实性负责。