霍尔元件

　　由于导体的霍尔效应很弱，霍尔元件都用半导体材料制作。霍尔元件是一种半导体四端薄片，如图4—3a所示，从矩形薄片半导体基片上两个相互垂直方向的侧面上分别引出一对电极，其中a、b电极对用于加入控制电流，称为励磁电流端；c、d电极对用于引出霍尔电动势，称为霍尔电动势输出端。霍尔元件的外壳用金属、陶瓷、塑料或环氧树脂封装。霍尔元件的外形如图4—3b所示，通用的电路图形符号如图4—3c所示。

　　半导体中电子迁移率（电子定向运动的平均速度）比空穴迁移率高。因此N型半导体较适于制造灵敏度高的霍尔元件。

　　目前，国内外生产的霍尔元件采用的材料有锗（Ge）、硅（Si）、锑化铟（InSb）、砷化铟（InAs）和砷化镓（GaAs）等。表4—1给出了典型霍尔元件的主要参数。