PNP 晶体管的共基极配置

　　关于PNP晶体管特定情况下电流和电压符号的约定，让我们看一下图 1 所示的图表。

　　

　　图 1：共基极配置的PNP晶体管
　　传统上，假设I E > 0，我们必然有I C、 I B < 0。如果结J E 正向偏置，则V EB > 0。同样，对于图 1 的结J C 来说， V CB < 0. 对于NPN晶体管，我们采用对偶性，即反转电流和电压的符号。
　　静态输出和输入特性

　　现在让我们回顾一下晶体管的广义方程（始终指PNP情况）：

　　将公式 1 应用于图 1 所示的图表，意味着V C = V CB < 0。由此可见：

　

　　假设V CB和I E作为自变量。更具体地说，以发射极电流I E作为参数，我们有：

　　电力电子科学笔记：通用基础配置

　　我们期望出现一系列反向指数爬升，如图 2 所示。由此获得的曲线构成了静态输出特性。

　　图 2：静态输出特性。
　　静态输入特性给出了发射极电流 ( IE )的变化，作为发射极和基极之间的电压 (V EB )的函数，集电极基极电压 (V CB ) 保持恒定。我们可以写：
　　电力电子科学笔记：通用基础配置

　　将V CB 作为参数，得到一系列曲线（即静态输入特性）。为了能够将它们绘制出来，我们考虑一下相当于 PNP 晶体管的电路。可以通过想象两个相对的 PN 结（即个 PN 结的阴极与第二个 PN 结的阳极串联）来进行模拟，如图 3 所示。

　　图 3：PNP 晶体管可以被视为两个相互连接的二极管。
　　在共基极配置中，D in 处于正向偏置状态。因此，根据符号的明显含义，我们有：
　　电力电子科学笔记：通用基础配置

　　因此，我们得到了图 4 中绘制的趋势，其中我们注意到存在与结型二极管完全相同的偏移电压。共基极配置中发射极和集电极的偏振态定义了不同的区域。准确地说，是J E正向偏置和J C反向偏置的有源区，以及两个结都正向偏置的饱和区。由此可见，对于集电极电流，我们有：

　　电力电子科学笔记：通用基础配置
　　因此，集电极电流作为V CB 的函数按照指数趋势变化。，截止区域由集电极电流截止（即发射极开路时）定义。

　　图 4：静态输入特性