随着无源器件逐渐跟不上高速功率半导体器件以及电路拓扑的发展,无源滤波器的体积是提高功率密度的限制因素之一。实际的滤波器实现会占用电源解决方案总体积的 30%(如图 1 所示)。
图 1:3.3kW 图腾柱功率因数校正参考设计中的传统单相无源 EMI 滤波器有源 EMI 滤波器 (AEF) 电路可为新一代电源管理系统实现更紧凑的滤波器解决方案。空间受限型应用可使用有源电源滤波器集成电路 (IC) 减小磁性元件的尺寸和滤波器的总尺寸。AEF 的其他优势包括:通过降低元件功率损耗来改善热管理并提高可靠性、减少受限空间内元件之间的耦合、简化机械和封装设计以及降低成本。
图 2 和图 3 分别为单相和三相滤波器电路的原理图,均采用有源解决方案代替传统的无源设计。单相 TPSF12C1-Q1 和三相 TPSF12C3-Q1 AEF IC 位于共模扼流圈之间,为共模电流提供了具有较低阻抗的分流路径。如图所示,有源解决方案中共模扼流圈 LCM1 和 LCM2 的电感比无源滤波器中共模扼流圈的电感低很多。图 2:单相无源 EMI 滤波器(顶部)和具有更低共模扼流圈电感的相应 AEF 电路(底部)
图 3:三相无源 EMI 滤波器(顶部)和具有更低共模扼流圈电感的相应 AEF 电路(底部)AEF 的实际实现
图 4 展示了适用于图 1 中转换器的 AEF 实际实现方法。使用 TPSF12C1-Q1 单相 AEF IC 实现共模噪声衰减。图 4:使用 AEF(额定电流为 10A)的单相滤波器评估板
图 5 展示了禁用和启用 AEF 时得到的 EMI 结果。从图 5 中可以明显看出,AEF 在低频率范围(100kHz 至 3MHz)内提供高达 30dB 的共模噪声衰减,因此,使用两个 2mH 纳米晶扼流圈的滤波器可实现与使用两个 12mH 扼流圈的无源滤波器设计相同的共模衰减性能。为进行公平比较,这些扼流圈均来自同一元件系列(由 Würth Elektronik 制造),并使用类似的磁芯材料。表 1 汇总了无源和有源设计适用的共模扼流圈参数,图 6 重点展示了体积、尺寸、重量和成本节约值。
表 1:无源和有源滤波器解决方案的共模扼流圈参数
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