IDC低电压驱动MOS-FET 最适合使用在手机等流动装置!

    

    半导体厂家IDC谏早电子(总公司: 日本长崎)正增加低驱动MOSFET的系列型号。

    由手机开始发展出的流动装置产品, 产品追求降低功耗并延长使用时间, 所以电路的损失减少变为必要, 因此产品需求使用低电压驱动的MOS-FET。
    对于以上需求, 我司发展出可对应的低电压驱动产品。

    通过优化晶圆工艺，我司计划首先扩大 1.8V 和 1.5V 驱动产品，未来计划将产品系列扩大到 1.2V 和 0.9V。

    Ron-VGS特性上, 至今的产品可使用VGS的2.5V作驱动。
    本次新产品是按可使用VGS的1.8, 1.5V作驱动而开发。

    □使用事例

    在使用中，与传统产品相比，低压驱动产品有望具有零部件数量减少和低功耗等优势。
    我司计划开发的产品为Nch的耐压为20V至60V、ID为0.5A至2.0A、驱动电压为1.8和1.5V的产品。
    Pch的耐压为20V、ID为0.55A、驱动电压为1.8的产品正在量产中, 1.5V的产品正在开发当中。

    今后, 我司计划开发大电流领域产品。

    在产品系列中, 已写上各耐压, 驱动电流, 同类产品。