ISL71091SEHxx电压基准的总剂量测试

    本应用笔记分析了具有四个变体的ISL71091SEHxx电压基准的总剂量测试所获得的结果。这些测试的目的是评估零件的总剂量硬度及其剂量率和偏差敏感性。测试还增加了偏置高温退火，以观察零件的加速老化响应。样品在偏压下进行辐照，所有引脚均以低剂量率和高剂量率接地。ISL71091SEHxx变体在高剂量率（50至300 rad（Si）/ s）和低剂量率（0.01 rad（0.01） Si）/ s），确保两种剂量率的硬度均达到指定水平。

      的ISL71091SEHxx的变体包括ISL71091SEH20（2.048 V标称输出电压），ISL71091SEH33（3.3 V标称输出电压），ISL71091SEH40（4.096 V标称输出电压）和ISL71091SEH10（10.0 V标称输出电压）。这些变体使用相同的基础芯片，在晶片制造过程中通过几个掩膜电平选择输出电压，然后  终通过在探针和封装电平处修整（编程熔丝）进行调整，以获得指定的输出电压。该封装仅包含硅芯片，没有用于设置输出电压的单独的内部或外部无源组件（例如，电阻器或电容器）。

    ISL71091SEHxx在低剂量率和高剂量率照射下均显示出良好的性能。所有样品均以SMD中指定的总剂量水平通过了辐照后规范。我们在临界输出电压参数中观察到一定的剂量率灵敏度和偏置灵敏度，并且该部件被认为是中等较低的剂量率灵敏度。我们还看到在经过该程序的零件中有趣的偏向高温退火响应，并且还将讨论这些响应。

    部分说明

    ISL71091SEHxx是一款低噪声精密基准电压源，具有4.6 V至30 V的宽电源电压范围（3.3 V型号），通过不同的掩蔽电平和片上微调选择了四个输出电压选项。ISL71091SEHxx建立在Intersil PR40键合晶圆工艺之上，该工艺使用介电隔离来改善电气和SEE性能。ISL71091SEHxx提供四个输出电压选项，包括2.048 V，3.3 V，4.096 V和10.0 V，并具有6 ppm /°C的温度系数以及出色的线路和负载调节能力。该器件实现了低于5.2μV的峰峰值（0.1 Hz至10 Hz，3.3 V变型）噪声，其初始电压  在+25°C时为±0.05％，在整个辐射范围内为±0.25％。该器件以8引线密封扁平包装和管芯形式提供。应用范围包括仪器仪表，

    测试说明

    辐照设施

    使用位于佛罗里达州Intersil设施Palm Bay的Gammacell 220?60Co辐照器以68 rad（Si）/ s的标称剂量率进行了高剂量率测试。使用Intersil Palm Bay N40全景低剂量率60Co辐照器以0.01 rad（Si）/ s的速度进行低剂量率测试。使用设置在+100°C的小型温度室进行辐照后的高温偏置退火。

    测试夹具

    图1显示了用于偏置辐射的配置。接地辐射以相同的夹具类型执行，但所有引脚都硬接地。辐照后的高温偏压退火也使用这种配置进行。

    图1 ISL71091SEHxx的偏置辐射配置

    表征设备和程序

    使用生产自动化测试设备（ATE）在辐射器外部执行所有电气测试，并在每个下降点进行数据记录。所有下行电气测试均在室温下进行。每个变体使用三个或四个控制单元以验证可重复性。