步骤图解:
[集电极C] ←红表笔→ [基极B] ←黑表笔→ [发射极E] (NPN型正向测试)
判断标准:
测试组合 | 正常值(硅管) | 异常情况 |
---|---|---|
B-C正向 | 0.5-0.7V | >1V(开路) |
B-E正向 | 0.5-0.7V | 0V(短路) |
反向(表笔反接) | "OL"(溢出) | 有读数(漏电) |
技巧:
锗管正向压降0.2-0.3V
测大功率管时使用Rx10档更准确
质量判别:
正向电阻:3-10kΩ(Rx1k档)
反向电阻:>500kΩ(优质管)
漏电检测:
用手握管壳加热,电阻应保持稳定(温度漂移过大说明劣化)
电压法快速诊断:
测量CE极电压:
饱和状态:<0.3V(NPN)
截止状态:≈电源电压
基极注入测试:
用1kΩ电阻短接B-E,正常管应导通(CE压降骤降)
典型故障电压:
故障类型 | B-E电压 | C-E电压 |
---|---|---|
开路 | 正常 | ≈Vcc |
短路 | 0V | 0.1-0.5V |
漏电 | 偏高 | 中间值 |
数字表hFE档:
插入对应插孔直接读数(注意NPN/PNP选择)
简易计算法:
β≈IBIC=RCVCC?VCE/RBVBB?0.7需专用图示仪:
V(BR)CEO:集电极-发射极击穿电压
V(BR)EBO:发射结反向耐压
安全提示:
超过30V测试必须用隔离电源!
类型 | 检测要点 | 注意事项 |
---|---|---|
达林顿管 | B-E压降≈1.4V | 不能用电阻档直接测 |
MOS管 | 需G极触发电压(9V电池辅助) | 必须防静电 |
光电三极管 | 遮光时CE阻值>1MΩ | 用LED光源激活测试 |
热稳定性测试:
用烙铁靠近管壳,观测参数漂移(优质管Δβ<10%)
频率响应判断:
用信号发生器输入100kHz方波,示波器观察波形畸变
噪声检测:
用音频放大器监听CE极间噪声(沙沙声过大则劣化)
1:彩电行管D1887检测
正常:B-C=0.6V,B-E=0.6V,C-E=∞
击穿:三引脚全通
2:功放对管2SC5200
用Rx1档测E-C电阻应>50Ω(防止二次击穿管)
被测型号:2N2222A(NPN) 检测项目 实测值 标准值 判定 B-E正向 0.63V 0.5-0.7V ? B-C正向 0.65V 0.5-0.7V ? 反向电阻 OL >500kΩ ? hFE 210 100-300 ? 结论:器件性能良好
操作口诀:
"NPN管,红基极,测通断;反接表笔应无穷;
PNP管,黑基极,同原理;三脚互测判死生"
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