Microchip扩展碳化硅（SiC）电源器件系列产品，助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠性

　　业界希望基于碳化硅（SiC）的系统能地提升效率、减小尺寸和重量，从而帮助工程师创建创新的电源解决方案；这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、充电站、智能电网、工业电力系统和飞机电力系统等。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布推出更小、更轻及效率更高的SiC电源模块，进一步丰富了其电源产品线。凭借新型SiC电源模块及各类单片机和模拟产品, Microchip能够满足客户对大功率系统控制、驱动和功率级电路等方面的需求，提供完整的系统解决方案。

　　Microchip的SiC系列产品包含以肖特基势垒二极管（SBD）为基础的700V、1200V和1700V商业级电源模块。除了提供不同的电流和封装方案之外，新推出的系列电源模块还采用双二极管（Dual Diode）、全桥（Full Bridge）、相脚（Phase Leg）、双共阴极（Dual Common Cathode）和三相桥（3-Phase bridge）等各种拓扑结构。SiC SBD模块可将多个SiC二极管芯片与可选件结合在一起，将基片和底板材料集成到单个模块，进而简化设计，地提升开关效率，减少温升并缩小系统尺寸。

　　Microchip分立器件事业部副总裁Leon Gross表示：“SiC技术的应用和拓展是当前系统创新的驱动力。作为行业领军者，Microchip正同所有细分市场和各地的客户开展合作。我们始终将提供可靠的新型解决方案作为业务重点。从产品定义到产品发布的各个阶段，我们的SiC技术提供优越的可靠性和稳健性，可帮助电力系统设计人员保障电力系统的长期运行，而不会降低系统性能。”

　　丰富多样的700V、1200V和1700V SiC SBD模块产品线采用Microchip一代的SiC芯片，可地提升系统可靠性和稳健性，保障电力系统的寿命和稳定性。这些器件的高雪崩性能可使系统设计人员减少对缓冲电路的需求。由于这些器件的体二极管具有稳定性，电力系统可在内部采用体二极管，避免长期运行后出现性能退化。Microchip内部检测和第三方检测显示，相比其他使用SiC制造的器件，这些器件在关键的可靠性指标上表现更佳。

　　开发工具

　　Microchip的30kW三相Vienna功率因数校正（PFC）功能、SiC分立器件和SP3/SP6L模块驱动参考设计/驱动板可帮助系统开发人员缩短开发周期。

　　供货

　　700V、1200V和1700V SiC SBD电源模块现已发布并开放订购。多个SiC SPICE模型、SiC驱动板参考设计和PFC Vienna参考设计为整个SiC产品系列提供支持。Microchip的SiC产品及其辅助产品现已实现量产。Microchip针对SiC MOSFET和SiC二极管提供各种裸片和封装方案。