图1是这些非计划中电容的一个实例。图中的右侧是一个垂直安装的FET,所带的开关节点与钳位电路延伸至了图片的顶部。输入连接从左侧进入,到达距漏极连接1cm以内的位置。这就是故障点,在这里FET的开关电压波形可以绕过EMI滤波器耦合至输入。
如何处理好电源中的寄生电容才能获得符合EMI标准的电源图1. 开关节点与输入连接临近,会降低EMI性能注意,漏极连接与输入引线之间有一些由输入电容器提供的屏蔽。该电容器的外壳连接至主接地,可为共模电流提供返回主接地的路径。如图2所示,这个微小的电容会导致电源EMI签名超出规范要求。
不过,我们可以改变间距(d)。如图3所示,我们将组件与输入的距离延长了3倍。,我们采用较大接地层增加了屏蔽。
如何处理好电源中的寄生电容才能获得符合EMI标准的电源图3. 这个修改后的布局不仅可增加间距,而且还可带来屏蔽性能图4是修改后的效果图。我们在故障点位置为EMI规范获得了大约6dB的裕量。此外,我们还显着减少了总体EMI签名。所有这些改善都仅仅是因为布局的调整,并未改变电路。如果您的电路具有高电压开关并使用了屏蔽距离,您需要非常小心地对其进行控制。
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