Vishay推出新型超薄SMF封装TMBS®整流器,节省空间且提高功率密度和能效

时间:2019-03-11
  日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出15款采用eSMP  系列超薄SMF (DO-219AB)封装新型1 A、2 A和3 A器件,扩充其表面贴装TMBS   Trench MOS势垒肖特基整流器产品。Vishay General Semiconductor器件比其他SMA封装整流器节省空间,反向电压从45 V到150 V,3 A电流等级达到业内SMF封装器件水平。
  目前,3 A电流等级肖特基整流器一般采用SMA封装。日前发布的器件采用更薄的SMF 封装,具有高正向电流的同时增加功率密度。器件封装尺寸 3.7 mm x 1.8 mm,高度降低至0.98 mm, 比SMA封装薄46%,电路板占位空间减少49%。
  1 A、2 A和3 A器件正向压降分别为0.36 V、0.40 V和0.43 V,可降低续流二极管和极性保护二极管功耗,提高效率。应用于商业和工业用高频逆变器、DC/DC转换器等,器件还提供AEC-Q101版本,可用于汽车应用。
  新整流器工作结温达+175 °C,MSL潮湿敏感度等级达到 J-STD-020 的1级,LF峰值为+260 °C。器件适用于自动贴片工艺要求,符合RoHS标准,无卤素。
  器件规格表:
  器件型号
  IF(AV) (A)
  VRRM (V)
  IFSM (A)
  IF和TJ条件下VF
  TJ (°C)
  VF (V)
  IF (A)
  TA (°C)
  V1FL45
  1.0
  45
  30
  0.36
  1
  125
  150
  V1F6
  1.0
  60
  30
  0.45
  1
  125
  150
  V1FM10
  1.0
  100
  30
  0.59
  1
  125
  175
  V1FM12
  1.0
  120
  30
  0.61
  1
  125
  175
  V1FM15
  1.0
  150
  30
  0.64
  1
  125
  175
  V2FL45
  2.0
  45
  40
  0.40
  2
  125
  150
  V2F6
  2.0
  60
  50
  0.45
  2
  125
  150
  V2FM10
  2.0
  100
  40
  0.62
  2
  125
  175
  V2FM12
  2.0
  120
  40
  0.65
  2
  125
  175
  V2FM15
  2.0
  150
  40
  0.69
  2
  125
  175
  V3FL45
  3.0
  45
  50
  0.43
  3
  125
  150
  V3F6
  3.0
  60
  60
  0.49
  3
  125
  150
  V3FM10
  3.0
  100
  55
  0.62
  3
  125
  175
  V3FM12
  3.0
  120
  60
  0.64
  3
  125
  175
  V3FM15
  3.0
  150
  40
  0.66
  3
  125
  175
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