图 2:I型布局
传导EMI被分为差模和共模两种类型,差模噪声源自电流变化率(di/dt),而共模噪声则源自电压变化率(dv/dt)。而无论是di/dt还是dv/dt, EMI性能的关键点在于如何尽量减小寄生电感。
图3是降压变换器的等效电路。大多数设计人员都知道如何尽量减小高频回路中Lp1、Lp3、Lp4和Lp5的寄生电感,但忽略了Lp2和Lp6。对于两种不同的布局U型和I型,U型布局的Lp2和Lp6上的寄生电感相较于I型布局更小。在U型布局中,减小开关管Q1导通时的功率回路也将有助于提高EMI性能。
图 3:降压变换器等效电路
为了验证布局,测量EMI数据显得至关重要。图4和图5对一个两路输出的变换器传导EMI进行了对比。同时,该电路采用移相控制,减小输入电流纹波,从而优化输入滤波器。从测试结果可以看出,U型布局的EMI性能优于I型布局的EMI性能,尤其是在高频的部分。
图 4:移相控制下的U型EMI性能
图 5:移相控制下的I型EMI性能
加入EMI滤波器可以有效地提高EMI性能。图6所示为一款简化版EMI滤波器,其中包括一个共模(CM)滤波器和一个差模(DM)滤波器。一般来说,差模滤波器的噪声小于30MHz,共模滤波器的噪声范围为30MHz至100MHz。两个滤波器都会影响EMI需要限制的整个频段。图7和图8分别对带有共模滤波器和差模滤波器的传导性EMI进行了对比。U型布局可以符合CISPR 25 3类标准,而I型布局则不符合。
图 6:简化的EMI滤波器
图 7:采用差模和共模滤波器的U型布局的EMI性能
图 8:采用差模和共模滤波器的I型布局的EMI性能
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