IR推出大罐式DirectFET MOSFET系列

导读：功率半导体和管理方案供应商国际整流器公司 （International Rectifier,简称IR） 推出大罐式DirectFET MOSFET系列。

　　该系列适用于要求极低导通电阻 （RDS（on）） 的工业应用，包括大功率直流电机，直流/交流逆变器，以及动态ORing热插拔和电熔丝等大电流开关应用。

　　全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封装器件提供卓越的导通电阻性能，从而实现较低的导通损耗和更理想的系统效率。这款大罐式产品与中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具备双面散热功能，可提供传热性能，提升功率密度。由于提供的裸片对占位面积比，DirectFET可有效缩减电路板尺寸。新器件还具备0.7mm的超薄厚度，为受空间限制的高功率工业电源设计提供理想的解决方案。

　　与DirectFET系列的其它器件一样，全新的工业用大罐式封装器件提供能改善可靠性的无键合线设计。DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 （RoHS） 的所有要求，例如提供完全不含铅的物料清单，因此非常适合长生命周期的设计。而其它同类型的高性能封装则包含采用含铅的裸片贴装，虽然符合电子产品有害物质管制规定第7（a） 项豁免条款，但这项豁免将于2016年到期。

　　IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“DirectFET系列新增大罐式封装器件后，继续业界成为市场上可靠、性能的MOSFET封装产品之一。全新大罐式DirectFET系列的占位面积比D2PAK等传统的大型塑料表面贴装功率封装显着减小，而且增加了上方散热性能，因而非常适合空间受限的长寿命工业电源设计。”

　　全新40V到150V大罐式封装器件符合级湿度敏感度业界标准 （MSL1）。