ST推出第二代串联二极管可替代碳化硅二极管

　　日前，意法半导体（ST）推出第二代串联二极管（tandem diodes），此款二极管产品能够限度降低开关损耗，能效优势高于标准超高速二极管。

　　新产品包括平均正向电流为8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI与12A的STTH12T06DI,属于意法半导体600V串联二极管系列。设计人员以高成本效益的方式提升设备能效，目标应用包括电源、太阳能逆变器和电动交通工具充电桩。

　　主要特性：

　　●平均正向电流为8A的STTH8T06DI和STTH8ST06DI与12A的STTH12T06DI

　　●QRR 参数与代产品相比变低

　　●工作结温范围宽达 -40°C到 175°C

　　●价格比碳化硅二极管低至少30%

　　●采用TO-220AC绝缘散热柱型封装

　　与代产品相比，新的二极管产品降低了反向恢复电荷（QRR,reverse-recovery charge），从而能够限度降低开关损耗，能效优势高于标准超高速二极管。QRR 参数变低还有助于加快电路设计的微调速度，缩短设备厂商的新产品上市时间。新产品性能可与碳化硅二极管相媲美，但价格比碳化硅二极管低至少30%.

　　新产品的正向涌流峰值与超高速二极管相同，确保稳健性和可靠性，工作结温范围宽达 -40°C到 175°C.采用TO-220AC绝缘散热柱型封装，三款器件现已全部投入量产。