一种高稳10M晶振设计思路

　　我们常见的晶振有27M晶振、65.536M晶振、100M晶振、16M晶振、125M晶振、85M晶振、8M晶振、12M晶振，晶振的主要特性之一是工作温度内的稳定性，它是决定振荡器价格的重要因素。稳定性愈高或温度范围愈宽，器件的价格亦愈高。今天本文给出了高稳10M晶振的设计方案，大家可以参考一下。

　　主要目标：10MHZ晶振，1HZ相噪-110~-120,秒稳5E-13~1E-12

　　原理框图如下：

　　主要思路：

　　1.  我认为首先要去除电路的噪声，保证晶体的高Q值能得到发挥，套用一句广告词："留住真的".电路的噪声有2个方面，电源引入波动/噪声和电路自身的噪声，因此拟采用2次稳压电路，2次滤波电路。对外部电源的波动，先用LDO稳压，输出供内部电路使用，包括内槽恒温控制电路也使用此稳压。再对所有RF电路进行2次稳压，并结合有源滤波，对10HZ以上的噪声进行衰减滤除。还要对主振级电路进行超低频低通滤波，截止频率希望做到0.1Hz,以保证近端相位噪声的纯净。

　　2.  使用高Q值低老化晶体，但晶体Q值不可能无限高，据说BVA的晶体很好，但市场上买不到，也是白搭。一个做法就是减小晶体的激励和接入系数，提高有载Q值。还有所谓的Q值倍增法，很多文章书上讨论过，但从公布的测试数据看，并不比现有的技术做得更好，实际应用中也很少见到。不过既然理论计算是对的，那就应该有可取之处，我准备试试看。

　　3.  ALC电路控制输出幅度，这个或许可以不要。

　　4.  多级缓冲，保证输出幅度，减小负载效应，同时又控制引入的噪声，这个比较困难。

　　5.  使用晶体滤波器输出，对10KHz以上的噪声滤一下，改进远端相噪，作为可选项目。

　　6.  使用双层恒温及较厚的壳体，提高对快速环境温度变化的适应性，但缩短了工作温度范围，提高了尺寸和功耗，延长了开机时间，不过这对做标准用的高温晶振应该不是大问题。

　　7.  考虑电磁屏蔽和减振，以减小这方面可能造成的影响。

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