DS1873 SFP+控制器快速设计指南

     摘要：DS1873增强型小外形可插拔(SFP+)控制芯片具有数字激光二极管驱动器(LDD)接口，提供多种可编程选项，以配置报警、预警、查找表(LUT)及其它功能。这些功能的配置需要操作大量寄存器，这篇应用笔记介绍了寄存器表的操作方法，便于设计人员配置器件。

　　概述

　　DS1873用于控制、监测小外形(SFF)、小外形可插拔(SFP)和增强型小外形可插拔(SFP+)模块的所有功能，包括SFF-8472的全部功能。六通道ADC检测VCC、温度和四路外部监控输入(MON1–MON4)，能够满足所有监测要求。两路数/模转换器(DAC)输出配合温度查找表(LUT)，提供额外的监测和控制功能。为了监测如此多的功能，DS1873需要控制大量的寄存器，本文介绍了控制这些寄存器的一个变通方法。

　　DS1873存储器

　　DS1873有九个独立的存储器表，内部划分成八个字节行。

　　低地址字节存储器的地址从00h至7Fh，包括报警和预警门限、标志位、屏蔽位、几个控制寄存器、密码输入区域(PWE)以及表格选择字节。

　　表01h包含用户EEPROM (PW1级访问权限)和报警、预警使能字节。

　　表02h为多功能区域，包含配置寄存器、比例调节和失调值、密码、中断寄存器以及其它各种控制字节。

　　表04h包含温度索引LUT，用于控制调制输出电压。LUT可以按照2°C间隔，在-40°C至+102°C范围内编程。

　　表05h默认为空，可以配置为MASK位使能(表02h、寄存器89h)的表01h、寄存器F8h–FFh的报警、预警使能字节。这种情况下，表01h为空。

　　表06h包含温度索引LUT，支持自动功率控制(APC)设置点随温度变化，以补偿跟踪误差(TE)。APC LUT具有36个索引值，按照4°C间隔，在-40°C至+100°C范围内确定APC设置。

　　表07h包含温度索引LUT，用于控制DAC1。该LUT具有36个索引值，按照4°C间隔，在-40°C至+100°C范围内确定DAC设置。

　　表08h包含温度索引LUT，用于控制DAC2。该LUT具有36个索引值，按照4°C间隔，在-40°C至+100°C范围内确定DAC设置。

　　辅助存储器(器件A0h)包含256字节EEPROM，通过地址00h–FFh访问。辅助存储器通过A0h器件地址选择。

　　关于每个字节的功能以及读/写权限的详细信息，请参考下列表格。

　　EEPROM映射

　　许多非易失存储器位于EEPROM映射区域(请参考下述寄存器参考部分)，受控于表02h、寄存器80h的SEEB位。

　　DS1873为关键存储器地址提供映射EEPROM存储器的位置，可进行多次写操作。默认情况下，映射EEPROM位SEEB并不置位，这些存储器的操作与常规EEPROM相同。当SEEB置位时，这些存储器的功能类似于SRAM单元，允许无限次写操作，不用担心EEPROM的写次数问题。利用SEEB位还可以不受EEPROM写时间tWR的限制。SEEB使能情况下的任何变化并不影响EEPROM，掉电后不会保持这些更改。上电后的数值为SEEB禁用时写入的数值。SEEB功能可以用来限制校准期间EEPROM的写操作次数，或者在正常工作时周期性改变监测门限。这有助于减少EEPROM的写次数。下面的存储器映射表给出了映射EEPROM的位置。

　　DS1873存储器映射

　　寄存器参考

　　以下表格给出了低地址字节存储器和表01h、表02h的简要参考。请参考数据资料中相应的寄存器，查找每一位的详细说明。表04h至表08h为LUT，不需要单独说明，请参考数据资料了解这些表格的详细信息。

　　注：RSVD是“reserved”的缩写。

　　低地址字节存储器

　　表01h

　　表02h

　　表04h：寄存器80h–C7h：MODULATION LUT

　　表04h：寄存器F8h–FFh：MOD OFFSET LUT

　　表06h：寄存器80h–A3h：APC LUT

　　表06h：寄存器F8h–FFh：HBIAS LUT

　　表07h：寄存器80h–C7h：DAC1 LUT

　　表07h：寄存器F8h–FFh：DAC1 OFFSET LUT

　　表08h：寄存器80h–C7h：DAC2 LUT

　　表08h：寄存器F8h–FFh：DAC2 OFFSET LUT