反激变换器的RCD吸收回路设计实例

     在这部分展示一个实例，适配器采用FSDM311，工作规范AC85～265V的输入电压范围。10W 输出功率、5V输出电压、67 kHz的开关频率。此时，RCD吸收回路选择1 nF吸收电容，480kΩ吸收电阻，图1示出波形。

　　漏电压（Vds 200V／p）、电源电压（VCC 5V／p）、反馈电压（Vfb 1V／p）、漏电流（Id 0.2A/p）按下面次序，内部MOSFET电压应为675V，数据表中给出为 650V。超出此值有二个原因，其一是变压器设计不当；其二是吸收回路设计不当，1 nF 电容和480k0电阻的稳态波形如图2 所示，给出比较正确的结果。

　　如上所述，为可靠性，稳态时电压应为MOSFET耐压的80%，即520V。图显示为570V（AC 256V）。当然，VIN＋nVo为（375V＋15×5V） ＝450V，显示变压器匝数比为15，此是合理的值。因此，吸收回路应重新设计如下：

图1 1nF电容和480kΩ电阻的起动波形

图2 1nF电容和480kΩ电阻的稳态波形

　　让Vsm为nV0的两倍，即150V。LIK1及Ipeak为150μH和400mA，于是求出:

　　电阻功耗计算如下：

　　，选择Csn为10nF，Rsn为1.4kΩ／3 W。测试下来，MOSFET的电压应力为J 593V（起动时）和 524V（稳态），分别为所选FSDM311耐压的91.2％和80.6%合格。10nF电容和14kΩ电阻的起动波形如图3所示，稳态波形如图4所示。

图3  10nF电容和14kΩ电阻的起动波形