恒忆推出业界首款 65nm 多路输入输出串行闪存系列产品

　　恒忆（Numonyx）在IIC-China 2010宣布推出业界首款 65nm 多路输入输出串行闪存系列产品，从而进一步扩大了恒忆为满足嵌入式市场严格的代码和数据存储可靠性要求而设计的强大的存储器产品阵容。新的 Numonyx Forte N25Q 系列串行闪存可为当今电脑、机顶盒和通信设备上的主流嵌入式应用提供的读写性能、设计灵活性和应用可靠性。

　　Numonyx Forte N25Q系列是不断扩大的 Forte 串行外设接口（SPI）闪存产品家族的产品，为客户提供多种不同的读写性能和存储容量范围。在今天的产品发布会上，恒忆推出了两款 128Mb 产品，电源电压分别为 3V 和1.8V，均采用业界的 65nm 制程。采用业内的制造技术可为客户提供具有成本效益的产品和连续稳定的架构。

　　“Numonyx Forte N25Q是我们在追求业界的存储器解决方案的研发过程中取得的又飞跃，”恒忆副总裁兼嵌入式事业部总经理 Glen Hawk 表示，“在扩大 Forte 产品线的过程中，我们在不断地用行动证明我们的承诺：专注于针对嵌入式市场的产品研发，在产品性能和解决方案方面成为串行闪存的。”

　　新功能有助于满足严格的应用要求

　　通过在业内首次引入非易失性配置寄存器概念，新产品能够提高串行闪存的设计灵活性和适用性。通过支持多个适合应用的参数选项，这个新特性可优化闪存配置，而且在系统关闭电源后还能保存闪存设置。因为无需在每次上电周期都要对闪存进行复位操作，这种非易失性配置功能可以大幅提升片内执行(XIP) 存储系统的应用灵活性，通过减少指令时钟周期次数，还能提高闪存的读写性能。采用Forte N25Q系列的产品设计还能减少系统DRAM容量，因为处理器可直接从闪存执行代码，从而能够为客户节约成本和电路板空间。

　　性能、灵活性、可靠性

　　N25Q 串行闪存在同一器件上支持多位输入输出协议（1 位、2 位和 4 位），能够为客户提供的设计灵活性。在全部电源电压范围内，恒忆大幅提高了读写性能，时钟速度从 75MHz 提高到 108MHz，在四位输入输出模式下，时钟速度更快，达到 432MHz。不论是 3V 还是 1.8V 的 Forté N25Q 都非常适合各种应用，包括电池供电的设备，如手持设备或消费电子产品。

　　长期的技术支持和连续的产品架构对于嵌入式客户至关重要。65nm 的 N25Q 系列让客户拥有一个通用平台路线图计划，并为现有客户提供向下兼容的解决方案，即 N25Q 系列兼容恒忆的其它系列串行闪存产品，包括 Numonyx Forte M25P 和 M25PX 系列串行闪存。

　　3V 和 1.8V 的 Forte N25Q 128Mb 串行闪存将立即投入量产。