在写操作过程中，写入的地址必须以字（4 个字节）为单位对齐，且指明要写入的具体地址。该地址可以用数据在存储器中的直接地址来表示，也可以用存储器区块的基址加数据的偏移地址来表示。
对 Flash 存储器的编程步骤如下：
（1）把源数据写入FMD 寄存器中。
（2）把目标地址写入到FMA 寄存器中。
（3）把flash 写入匙码（flash write key）写入到FMC 寄存器,并将WRITE 位置位。（写入0xA4420001）。
（4）查询FMC 寄存器直至WRITE 位被清零。
如图 5 所示：
图 5 Flash 存储器的编程步骤示意图
实例程序如程序清单 3 所示：
程序清单 3
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