安森美半导体推出4款新的30伏肖特基势垒二极管

　　的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体推出4款新的30伏(V)肖特基势垒二极管。这些新的肖特基势垒二极管采用超小型0201双硅片无引脚(DSN2)芯片级封装，为便携电子设计人员提供业界的肖特基二极管和同类的空间性能。

　　这些新的肖特基二极管提供低正向电压或低反向电流，额定正向电流为100毫安(mA)或200 mA，其中后者是业界巧的额定200 mA器件。这些新的器件为越来越多空间受限的应用解决问题，例如手机、MP3播放器和数码相机等。

　　安森美半导体小信号产品分部总监兼总经理何焘(Dan Huettl)说：“我们客户持续面对设计挑战，要在空间受限的应用中取舍优化电路板布线与系统性能的问题。安森美半导体遂推出超小型0201 DSN-2肖特基势垒二极管，回应系统设计人员的诉求，优化便携应用的电源管理。”

　　器件

　　这些肖特基二极管封装底部含有可焊接金属触点，令工作的硅片百分之百地利用封装面积。新的0201 DSN-2封装尺寸仅为0.6 mm x 0.3 mm x 0.3 mm，与常见的1.0 mm x 0.6 mm x 0.4 mm的SOD-923(也称作0402)封装相比，节省3倍的电路板空间。这些新器件的泄漏电流为市场上，帮助设计人员解决功率损耗、效率及开关速度问题。与采用传统塑模封装的竞争组件相比，新的肖特基二极管的板面积性能显着提升，傲视同侪。它们的电源管理特性，也同类产品，有助延长便携设备应用中的电池使用时间。

　　NSR0xF30NXT5G器件系列优化了正向电压降(Vf)，在10 mA正向电流时仅为370毫伏(mV)，进一步突显这系列的先进、高性能规格。NSR0xL30NXT5G器件系列设计用于低反向电流(Ir)，

　　在10 V反向电压时仅为0.2微安(?A)，且泄漏电流极低，延长电池使用时间。这两个系列的器件提供人体模型(HBM) 3B类和机器模型(MM) C类的ESD额定能力及低热阻抗，为设计工程师解决在小电路板空间中纳入越来越多电路的挑战。这些肖特基二极管符合RoHS指令，工作温度范围为–40°C至+125°C，非常适用于苛刻室内及室外环境中的设备。